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一种极低静态电流LDO线性稳压器的设计-电气论文 一种极低静态电流LDO线性稳压器的设计 杨学硕，陆铁军，宗宇 （北京微电子技术研究所，北京100076） 摘要：在此设计一个具有560 nA静态电流、150 mA驱动能力的低压差线性稳压器。该LDO采用TSMC 0.18 μm混合信号CMOS工艺，输出电压是3.3 V，输入电压为3.5~5 V。低静态电流LDO电路的设计难点是频率补偿和瞬态响应，这里通过引入一个带有负反馈的动态偏置缓冲器，不仅保证了系统在空载到满载整个负载范围内的稳定性，还极大地改善了低静态电流LDO的瞬态响应问题。仿真结果表明，全负载范围内相位裕度最小为65.8°，同时最大的瞬态响应偏差小于10 mV。 关键词 ：LDO；低静态电流；频率补偿；瞬态响应 中图分类号：TN43?34 文献标识码：A 文章编号：1004?373X（2015）20?0125?04 收稿日期：2015?04?08 Design of ultra?low quiescent current LDOYANG Xueshuo，LU Tiejun，ZONG Yu （Beijing Microelectronics Technology Institute，Beijing 100076，China）