共源共栅放大器.ppt

THE END THANK YOU 共源共栅放大器 郭佛威 共源共栅放大器 共源共栅放大器又称为级联放大器，是共源极和共栅极的级联。 由于共源放大级把电压信号转换为电流信号，而共栅放大级的输入信号为电流信号，故可把共源与共栅放大电路级联起来构成了共源共栅放大器，如图所示。 共源共栅级 大信号特性 偏置条件：M1和M2均工作在饱和区 即 Vb ≥ Vin + VGS2 -VTH1 Vout ≥ Vin -VTH1+VGS2-VTH2 大信号特性 Vin ≤VTH1，M1，M2处于截止状态，Vout=VDD,且VX ≈ Vb -VTH2 (忽略亚阈值导通) VinVTH1，开始出现电流，VOUT下降，VX下降，到一定值时M1或M2 进入线性区，增益（Vout曲线的斜率）减小 输入——输出特性 输出摆幅 M1工作在饱和区： VA=Vb-VGS2≥Vov1=Vin-Vt1 Vb≥Vin+VGS2-Vt1 M2工作在饱和区： Vout≥Vb-Vt2≥Vin+VGS2-Vt1-Vt2=Vov1+Vov2 为了使M4工作在饱和区，VoutVDD-|VGS4-VTH4| 摆幅，Von1+Von2VoutVDD-|VGS4-VTH4| 共源共栅级——小信号特性 增益 两个晶体管工作在饱和区；假设λ= 0，由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅级电路，所以 AV=Vout/Vin=-gm1V1RD/Vin 而V1= Vin ，所以AV=-gm1RD 当忽略沟道长度调制效应时，共源共栅级放大器的电压增益与共源级放大器的电压增益相同。 输出阻抗 电路可看成带有负反馈电阻ro1的共源级 上式表明串接了M2使M1的输出阻抗为原来(gm2+ gmb2) ro2倍，即输出阻抗大大增大，这是共源共栅放大器的一个最大特点，对提高放大器小信号增益、提高电路源的恒流特性十分有利 电流源负载的共源共栅级 比电流源负载的共源级的增益增大了 倍。 所以经常用共源共栅结构来提高增益 增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较 提高增益的两种方法：1、采用共源共栅增大增益 2、在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益 假设共源级的输入管的长度变为原来的四倍而宽度保持不变 过驱动电压增大为原来两倍，晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同 L增大四倍的结果只是使gmro的值增大两倍 而共源共栅结构却使得输出阻抗大约增大gmro倍 过驱动电压增大为原来两倍，晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同 L增大四倍的结果只是使gmro的值增大两倍 而共源共栅结构却使得输出阻抗大约增大gmro倍 过驱动电压增大为原来两倍，晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同 共源共栅级的屏蔽特性 Vout端有△Vout的电压跳变时，表现在X点的电压跳变 共源共栅级的屏蔽特性 由上式可知：当共源共栅的输出节点电压改变ΔV时，由于共源共栅结构具有高输出阻抗特性，因此只会引起△VX 发生很小的变化，这就是所谓的共源共栅的屏蔽特性。 折叠式共源共栅 共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流信号加到共栅级的源端。因此，构成共源共栅级时共源管和共栅管类型可以不同。 特点：1.Vin和Vout的电平可以是相近的； 2.增益和输出阻抗的计算跟共源共栅放大器相同，略小一些。 如图，M1是输入器件，PMOS M2是共源共栅器件，NMOS I1为直流偏置电流源 折叠式共源共栅放大器大信号特性 假定Vin从电源电压下降 ①当VinVDD-|VTH1|，那么M1截止，电流I1全部流过M2，即， ②当VinVDD-|VTH1|，M1开启并处于饱和区， 随着Vin ↓，ID1↑ ID2 ↓， ③当ID1=I1时，ID2最终变为0，这时M1进入线性区。 共源共栅放大器频率特性分析 节点近似法分析 三个节点：A、X、Y 节点A：密勒近似 节点X：密勒近似 ↖ 共源共栅放大器频率特性分析 共源共栅放大器频率特性分析 节点Y：密勒近似 在这三个极点中，其中 一般不考虑，在设计电路时， 选择在高频处。因此： 是主极点，传输函数是单极点函数 共源共栅放大器频率特性的仿真 共源共栅级总结 优点 1.输出阻抗高 2.增益高，常用来提高增益 3.具有屏蔽特性 不足 1.输出电压摆幅因层叠的MOS管而有所损失，这在低电源电压运用中是致命的缺点 2.折叠式共源共栅级直流功耗大