第5章 静态技术磁化.ppt

实际得到的矫顽力 两种矫顽力机理： 反磁化形核 畴壁钉扎 * SmCo5 Nd-Fe-B * 两种矫顽力机理（反磁化机理）：矫顽力的来源 1.反磁化畴的形核 2.畴壁钉扎 一般认为在烧结的NdFeB和SmCo5磁体中，反磁化的过程是由反磁化核的形核控制的。这种材料饱和磁化以后，加上反向磁场，磁矩并不马上反转，只有反向磁场增大到某一数值时，局部区域开始出现反磁化核并长大到一个临界尺寸，出现了畴壁。由于材料内的缺陷对畴壁的钉扎作用很弱，刚形成的畴壁迅速移动，带动了材料整体磁矩发生反转。而Sm2Co17烧结磁体的反磁化过程是由畴壁钉扎控制的。饱和磁化的磁体整体磁矩反转之前，材料内部已经存在畴壁，但畴壁被缺陷钉扎不能移动，只有磁场强到将能够将畴壁从钉扎出拉出，整个材料的磁矩才能反转。究竟是那种模型控制着材料的反磁化过程，要看磁体整体磁矩发生反转的两个过程哪一个难于发生。如果反磁化畴的形核和长大比较困难，反磁化过程就由形核模型控制，如果畴壁移动比较困难，就由钉扎模型控制。当然也可能存在两种机理都存在的混合模型。 * 形核 特征：晶粒较大（烧结NdFeB为几个微米），表面光滑，晶粒间为几个微米米左右的非磁性相，晶粒之间去耦，交换作用很弱。 * 钉扎 特征：晶粒较小，复相，胞状结构（内部为2：17相，边界为1：5相），矫顽力与两相畴壁能的差成正比。 * 一般来说，磁晶各向异性常数大的单相磁体，其反磁化机理以形核为主，如单相的稀土钴合金1：5型和2：17型磁体，钡锶铁氧体磁体。形核为主的磁体，反磁化核长大时的畴壁移动也遇到钉扎，这时矫顽力由形核场和临界场同时决定。凡是磁晶各向异性常数大的两相磁体，反磁化机理则以钉扎为主，如两相的稀土钴合金1：5型和2：17型。 * ( 1 )形核场决定的矫顽力： 长旋转椭球形(l,d)的反磁化畴核长大的能量条件为 第一项为反磁化场作用下静磁能的变化， 第二项为反磁化核长大时，畴壁能的增加，dS为 畴壁面积的变化， 第三项为反磁化核长大时，退磁能的变化，椭球体 积为 ，面积为 。 第四项为反磁化核长大时，畴壁位移克服最大阻力所 做的功,H0为临界磁场。 可以求得形成一个临界大小的反磁化畴核所需要的磁场Hs 由上式可知，形核场与畴壁能密度成正比，SmCo5材料畴壁能密度很大，其矫顽力可达到1200-4800kA/m。由于反磁化畴核的形成中心机理不同，其形核场也是不同的，但最大限度的减少反磁化畴的形核中心，是提高矫顽力的重要途径。 ( d为椭球短轴直径 ) * ( 2 )钉扎场决定的矫顽力 热退磁状态下，畴壁一般都处于畴壁能最低处。当施加外磁场时，畴壁很难离开畴壁能最低处，即畴壁被钉扎了。复相永磁体的钉扎中心可以是第二项或相边界或晶体缺陷如晶界、位错、堆垛层错、反向畴边界等。 一般耒说，磁晶各向异性常数大的单相磁体，其反磁化机理以形核为主，如单相的稀土钴合金1：5型和2：17型磁体，钡锶铁氧体磁体。凡是磁晶各向异性常数大的两相磁体，反磁化机理则以钉扎为主，如两相的稀土钴合金1：5型和2：17型。形核为主的磁体，反磁化核长大时的畴壁移动也遇到钉扎，这时矫顽力由形核场和临界场同时决定。 内禀矫顽力Hci：反磁化过程中，磁化强度为零对应的反磁化场。 矫顽力Hcb：反磁化过程中磁感应强度B为零对应的反磁化场。 * 第五章 静态技术磁化 * 内秉磁性 表观（技术）磁性 交换常数A居里温度Tc 自发磁化强度 饱和磁化强度 剩余磁化强度 剩余磁感应强度 表观磁感应强度 磁晶各向异性常数 磁晶各向异性场 矫顽力 初始磁导率 最大磁导率 最大磁能积 磁致伸缩系数 * 改变磁场时，磁化强度的变化 第i个磁畴的磁化矢量与磁场方向的夹角 第i个磁畴的体积 忽略畴璧磁矩，求和在单位体积内进行 磁畴体积的变化：畴壁位移 磁矩转动 顺磁磁化 技术磁化 § 5. 1静态磁化与反磁化 * 不可逆转动 可逆转动 纳米材料 * 磁中性 畴壁位移 磁畴转动 不存在不可逆过程 存在不可逆和不可逆过程 传统材料 * 畴壁位移也是磁矩的转动！ * i.　初始状态是退磁状态:H=M=B=0 ii.　起始磁化区。 磁场很小，磁化基本上是可逆畴壁位移过程称为起始磁导率。 iii.　瑞利区。 磁场较小时，磁化满足瑞利的经验公式 主要可逆畴壁位移过程。 iv.　不可逆畴壁位移。磁化曲线变陡，磁导率越来越大，在矫顽力附近达到最大值。主要是不可逆畴壁位移过程（ Barkhausen跳跃）。 v.　磁导率开始减小。主要过程是可逆和不可逆磁转动。 vi.　磁化曲线接近饱和