第二章：器件原理.ppt

第二章电力电子器件的原理与特性 要求及重点 要求： 了解电力电子器件的发展、分类与应用； 理解和掌握功率二极管、SCR、GTO、MOSFET和IGBT等常用器件的工作原理、电气特性和主要参数。 重点： 各种电力电子器件原理、性能上的不同点，各自应用的场合（可工作区域）。 本章内容 2.1 电力电子器件概述 2.2 电力（功率）二极管 2.3 晶闸管（SCR） 2.4 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力场效应晶体管（电力 MOSFET） 2.7 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.8 其它新型场控器件 2.1 电力电子器件概述 1、电力电子器件的概念 电力电子器件的是指可直接用于处理电能，实现电能变换或控制的电子器件，通常专指电力半导体器件。 和普通半导体器件一样，目前电力半导体器件所用的主要材料仍然是——硅。 2、主要损耗 通态损耗：导通时器件上有一定的通态压降。 断态损耗：阻断时器件上有微小的断态漏电流流过。 开关损耗 开通损耗：在器件开通的转换过程中产生的损耗； 关断损耗：在器件关断的转换过程中产生的损耗。 对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一。 通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 。 3、电力电子器件的特征（与普通半导体器件相比） 功率远大于信息电子器件，从mW~MW。电压和电流等级是其最重要的参数； 工作在开关状态（相当于普通晶体管的饱和与截止状态），因而动态特性（开关特性）也是很重要的参数，有时甚至是最重要的参数； 需要用驱动电路驱动； 需要装散热器散热； 4、电力电子器件的发展概况 第一代电力电子器件 无关断能力的SCR（1957年美国GE公司发明） 第二代电力电子器件 有关断能力的GTO、GTR等 第三代电力电子器件 性能优异的复合型器件如（IGBT）和智能器件IPM (Intelligent Power Module) 等 电力电子器件的发展目标和评价标准 70年代 — 大容量（电压、电流） 80年代 — 高频化（功率、频率） 90年代 — 高性能化 （大容量、高频率、易驱动、低损耗） 评价标准：功率容量、开关速度、通态压降、 驱动功率、驱动信号 现在 — 集成化、模块化、智能化 5、分类 按其开关控制性能分类： 不控型器件： 无控制极，器件的导通与关断完全由其在主电路中承受的电压和电流决定，正偏置导通、反偏置关断，如电力二极管(D) 半控型器件： 控制极（门极）只能控制管子导通而不能控制管子关断，器件的关断完全由其在主电路中承受的电压和电流决定，如晶闸管(SCR)及其家族器件（FST、RCT、TRIAC、LCT） 全控型器件： 通过控制极（门极或基极或柵极）是否施加驱动信号既能控制管子导通又能控制管子关断，如GTO、GTR、IGBT、 MOSFET及其它新型场控器件MCT、IGCT、SIT、SITH、IPM等 按器件内部载流子参与导电的种类分类： 单极型器件：只有一种载流子参与导电，如MOSFET、SIT等 双极型器件：有两种载流子参与导电，如二极管、 晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等。 复合型器件：由MOSFET与晶体管、晶闸管复合而成，如IGBT、IPM、MCT等。 双极型器件 通态压降较低、阻断电压高、电流容量大 单极型器件 开关时间短、输入阻抗高（电压控制型） 电流具有负的温度特性，二次击穿的可能性很小。 通态压降高、电压和电流定额较小。 复合型器件 既有电流密度高、导通压降低的优点； 又有输入阻抗高、响应速度快的优点。 按门极驱动信号的种类（电流、电压）分类： 电流控制型器件 如晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等 电压控制型器件 如MOSFET、IGBT、IPM、SIT、MCT等 ——电压控制型器件的驱动功率要远小于电流控制型器件 ，驱动电路也简单，而且工作频率高。 6、应用场合（可工作区域） 决定应用场合的基本因素：输出容量和工作频率 SCR GTO GTR IGBT 电力MOSEFT MOSEFT 本章内容 2.1 电力电子器件概述 2.2 电力（功率）二极管 2.3 晶闸管（SCR） 2.4 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力场效应晶体管（电力 MOSFET） 2.7 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.8 其它新型场控器件 2.2 电力（功率）二极管 一、工作原理（基本与普通二极管相同） PN结：正向导通 反向截止 二、外形 三、特性 1、静态特性