电力电子作业解答.ppt

作业1 1.1 指出常用器件可达的功率与频率能力 SCR, GTO, IGBT , MOSFET, 功率能力 10MW MW 百KW 10KW 频率能力 几百HZ 1KHZ 10KHZ 百KHZ 1.2 一SCR需承受电流平均值100A, 电压峰值300V, 选择其电流电压定额 IT(AV) =(2~3)100A, UT=(2~3)300V 1.3 简述SCR正常导通条件, 非正常导通条件 正压,门极触发; 过压,过电压上升率,过温 1,4简述变流器件常用工作状态与损耗种类. 通,断, 开关状态与损耗 作业2 2.1简述器件驱动信号基本要求 足够的幅度、陡度、宽度 及良好的可靠性、抗扰性、电气隔离性。 2.2简述MOSFET、IGBT常用开通与关断正压. 10~20V ,-5~-15V 2.3SCR器件串联并联有何作用,有何问题,如何解决 增大电压电流容量;均压均流;选择件同参,并均压电阻,串均流电抗 思考判断题1 1器件主要工作在开关状态, 关断比导通容易(N), 关断损耗比导通损耗大(N). 2晶闸管正常导通条件是：正压（ N ）,阳极加触发（Y）；阳极电流达到维持电流（ N ）.导通后不再需要触发(Y) 。 3．开关器件按容量能力是SCR GTO IGBT（Y）; 按频率能力比较是SCR FETIGBT（ N ） 4．线路并压敏电阻可防变流设备过流（ N ）; 线路串熔断器可防过压（ N ）。 5开关器件串联目的是增大电压容量( Y ), 问题是均流(N)。 6 开关器件常串联RC(D)电路用于开关缓冲(N) 7 SCR,FET为电流驱动(N), IGBT为电压驱动(Y). 作业3 3.1 单相全控桥:U2=220V, R=5 Ω, a=60? (1)画ud,id,i2；计算Ud，Id Ud=0.9*220(1+cos60?)/2;Id=Ud/R (2)加串大L,画ud,id,i2 ；计算Ud，Id，I2。 Ud=0.9*220cos60?; Id=Ud/R (3)接（2）：Idm=50A,选管电压电流定额。 (2~3)50A/2;(2~3)311V 3.2　单相半控桥:U2=220V, R=5Ω,大L ，a=60? (1)计算Ud，Id (2)画ud,id,iVT,Ivd Ud=0.9*220(1+cos60?)/2;Id=Ud/R 3.3 三相全控桥:U2=110V, R=5Ω,极大L ，a=60? (1)画ud,id,iVT1,2 (2)计算 Ud,Id,I2 Ud=2.34*220cos60?; Id=Ud/R (3) Idm=50A,选管电压电流定额。 (2~3)50A/3; (2~3)*1.732*311V 思考判断题2 1整流电路α越大,输出电压越大( N ). 2整流电路输出电流断续时输出电压减小（N）. 3整流电路串电感可减小电流脉动(Y),输出电压会升高(N),移相范围0-90°(N ). 4交流侧电感等效为直流侧的附加电阻( Y),使整流器输出电压升高(N). 电力电子作业5 5.1 三相全控桥U2=110V,, L极大,Rx=0.1Ω,R=0.5Ω (1) 画等效电路 (2) α=60°, 反电势Em=100V,求: (a)Id,Ud,γ*;(b)整流器输出功率P,功率因数; Udα=2.34*220cos60?;Id=(Udα-Em)/(Rx+R) Ud=Uda-Rx*Id,P=Ud*Id;λ=0.955cosα (c)画ud,id (3) α=120°,反电势Em= -140V,求: (a)Id,Ud,γ*;(b)整流器输出P,功率因数λ; 同(2)a (c)画ud,id 整流电路测试题 作业6 6.1 画降压/升压斩波器电路图，标出αβ期间电流流向 6.2 降压斩波器E=36V,R=0.5Ω,L有限 (1) α=0.7, Em=20V, 电流io连续.计算Uo,Io. Uo=αE, Io=(Uo-Em)/R (2) α=0.4, 断流比δ=0.22,Em=18V Uo=αE+δEm 画uo,io波形; 计算Uo,Io; 6.3 升压斩波器E=36V, 驱动R并C负载 (1) α=0.2, 电流iL连续.计算Uo. Uo=E/(1-α) (2)* α=0.2, iL断流比