复合绝缘子弱憎水性状态描述方法Ⅲ——液滴面积法的适用性.PDF

20 15 年 4 月 电 工 技 术 学 报 Vol.30 No. 8 第30 卷第8 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROT ECHNICAL SOCIET Y Apr. 2015 复合绝缘子弱憎水性状态描述方法 Ⅲ ——液滴面积法的适用性 戴罕奇 梅红伟 王黎明 王希林 赵晨龙 贾志东 关志成 （清华大学深圳研究生院 深圳 518055） 摘要 寻求合适的方法及参数来描述染污复合绝缘子的弱憎水性状态，对弱憎水性状态给出 明确的定义，并对当前已有的 7 个憎水等级进一步细化。通过 10μL 靛蓝溶液在染污高温硫化硅 橡胶试片表面的垂直投影面积，来反映污层的憎水性状况，并尝试将液滴面积与染污绝缘芯棒的 污闪电压建立联系，以揭示弱憎水性阶段憎水性能改变对绝缘子污闪特性的影响。结合液滴在污 层表面的形态以及试品的污闪特性，在人工污秽试验的基础上将当前憎水等级HC7 进一步细化为 四个阶段，分别是HC7A 、HC7B 、HC7C 及 HC7D 。比较液滴面积、液滴接触角以及喷水分级试 验结果，将新憎水等级 HC7B 定义为弱憎水性状态。试验研究认为：液滴面积法弥补了液滴接触 角法在染污试品呈弱憎水性状态下的不足，可以用于弱憎水性阶段的憎水特性研究；而憎水性较 强时，面积法对憎水性的辨识能力有限，选用接触角法更适合此阶段的研究。 关键词：弱憎水性 液滴面积 憎水等级 接触角 污闪 复合绝缘子 中图分类号：TM215.92 Description Method Ⅲ—for Unobvious Hydrophobic State of Composite Insulators Usability of Droplet Area Method Dai Hanqi Mei Hongwei Wang Liming Wang Xilin Zhao Chenlong Jia Zhidong Guan Zhicheng （Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University Shenzhen 518055 China ） Abs tract This paper aims to find out proper parameters to describe the unobvious hydrophobic state of polluted compos ite insulators, and to define the unobvious hydrophobic state clearly based on refinement of present hydrophobicity class(HC). Droplets horizontal projected area of 10μL indigo solution was used to reflect the hydrophobic state of dirty layer. Relationship of droplet area and flashover voltage was built for illustrating the influence of hydrophobicity on pollu ted flashover characteristics. Considering about the morphology of droplets and flashover values of samples , HC7 is divided into 4 stages, respectively are HC7A, HC7B, HC7C and