半导体器件模拟仿真.ppt

（18）在表面淀积厚度为120nm的氧化物薄膜， 设置垂直方向网格数量为8 depo oxide thick=0.120 divisions=8 （19）再在表面用干蚀法刻蚀掉厚度为120nm的氧化物薄膜， 此二步骤的结果生成了用于隔离多晶硅和未来源/漏接触的阻挡 氧化层。 etch oxide dry thick=0.120 （20）进行As离子注入，以生成 n+ 多晶硅栅极 implant arsenic dose=5.0e15 energy=50 pearson （21）在氮气环境中进行扩散工艺 method fermi compress diffuse time=1 temp=900 nitro press=1.0 扩散后在源/漏区域的硅片表面会得到相对均匀的As离子分布 （22） 为了生成s/d 接触金属，刻蚀掉s/d区的氧化物 etch oxide left p1.x=0.2 （23）淀积金属铝，并刻蚀掉不需要的部分 deposit alumin thick=0.03 divi=2 etch alumin right p1.x=0.18 参数解析： （5）Undercut 定义当dry刻蚀进行时，在一个掩膜下以微米为单位的刻蚀所延伸的距离。 （6）LEFT; RIGHT; ABOVE; BELOW P1.X P2.X, P1.Y P2.Y 提供一个迅捷的刻蚀方式，具有一个梯形的横断面。刻蚀区域将在指定的面进行。（左/右/上/下）P1.X 和 P1.Y P2.X P2.Y 用来定义刻蚀位置的坐标。如果只定义P1.X 或 P1.Y，那么系统默认为垂直刻蚀。对于非垂直刻蚀情况需要定义 P2.X P2.Y 。 （7）Start, Continue和 Done 用来定义一个需要刻蚀工艺的杂乱无章的复杂区域。可以组多条线来定义多个点。用 X，Y来定义在 start/continue和done模式下的点。 参数解析： （8）Top.Layer 定义了至有顶部层被刻蚀掉。 （9）NOEXPOSE 定义新的表面不被暴露于刻蚀工艺后面的氧化或淀积工艺当中。 此参数应被用来从底部或侧面移除一部分结构。 语句实例： （1）简单的几何刻蚀例子： 下面的例子刻蚀掉了坐标x=0.5左侧所有的氧化物。 ETCH OXIDE LEFT P1.X=0.5 刻蚀前 刻蚀后 下面的例子进行了梯形刻蚀 ETCH OXIDE LEFT P1.X=1.0 P1.Y=-0.15 P2.X=0.5 P2.Y=0.0 刻蚀前 刻蚀后 （2）复杂的几何刻蚀例子： 下面的例子刻蚀掉了以(0.8,0)(0.8,-0.15)(1.2,-0.15)(1.2,0)为坐标顶点的矩形氧化物区域. ETCH OXIDE START X=0.8 Y=0.0 ETCH CONTINUE X=0.8 Y=-0.15 ETCH CONTINUE X=1.2 Y=-0.15 ETCH DONE X=1.2 Y=0.0 刻蚀前 刻蚀后 语句#6 Etch、Rate.Etch和 ELITE模块中的物理刻蚀 语句功能： Rate. Etch语句用来设置刻蚀速率参数。这些参数在后面的Etch语句中被使用。 一般参数简介： （1）Machine 是用来为Rate.Etch语句定义刻蚀机“machine”的名称。 在之后的Etch语句中可以调用定义好的machine。 （2）Wet.etch, Rie, Plasma和 MC.Plasma 用来为“刻蚀机”定义某种特定的模型。 （3）材料定义参数 用来定义刻蚀速率参数所设置的材料类型。 可以是Silicon, oxide, nitride, polisilicon, photoresist, aluminum, gaas……等材料。 Wet.etch和Rie模型专用参数介绍： （1）A.H，A.M, A.S U.H, U.M, U.S, 和N.M 用来定义刻蚀速率分别以埃/小时， 埃/分钟， 埃/秒， 微米/小时， 微米/分钟，微米/秒， 和纳米/分钟为单位。 （2）directional 用来定义RIE模型中用到的刻蚀速率的方向组成分量。离子化刻蚀速率是离子对化学刻蚀机制的离子贡献。离子被假定具有一个非等方性的角度分布。 （3）Isotropic 用来定义RIE和Wet.etch模型中用到的等方向性刻蚀速率。等方向性刻蚀速率是等离子体中出来的热原子，radicals和分子的贡献。 （4）chemical, divergence 当divergence被竟以为