第2章一维半导体体系(1)素材.pptVIP

4, 孤子的电子态结构和填充情况 ( 能带图见图 ) 31 ? 孤子在禁带中央形成局域的孤子能级 Ese ; ? 如此一个孤子状态是导带和价带各提供半个状态形成的 ; ? 中性孤子的 Ese 上占有一个电子, 自旋为±1/2 ； ? 而正电孤子的 Ese 是空的，自旋为 0 ； ? 负电孤子的 Ese 上占有两个电子，自旋也为 0 ; ? 如此, 便很好地解释了上述孤子的异常实验现象。 5, 荷电孤子 ( 载流子 ) 1) 聚乙炔分子链的电荷可以由掺杂产生。 ? 当材料中掺入施主杂质 (如 I2、AsF5 ) 时，形成负电孤子; ? 当材料中掺入受主杂质 ( 如 Na、K ) 时，形成正电孤子。 2) 聚乙炔分子链的电荷也可以由光照产生。 光照可以使某分子 链中的电子激发到另一分子链中，从而 在两个链上分别形成正电孤子和负电孤子。 * 6，孤子的性质 32 1) 孤子的可动性 ( 见 P.19 图 ) 因为 EA = EB ， 故孤子移动不改变系统能量，孤子易动。 有效质量 ms = 6 me ( 后面将讨论 ) 2) 孤子的荷电和自旋 状态 符号 电荷 Q 自旋 S 电子总数 二聚化基态 A, B 0 0 N 中性孤子 So 0 ±1/2 N 负电孤子 S- -e 0 N+1 正电孤子 S+ +e 0 N-1 电子 e -e ±1/2 N+1 空穴 h +e ±1/2 N-1 * 3) 孤子的激发能 ES 33 Es = Ee + Ev + Ea = 2 ?o / ? 其中, Ee = ?o 为电子由价带顶跃迁到孤子能级所需的能量 Ev 为产生孤子引起价带电子能量的改变 Ea = - ?o to K / ?2 为产生孤子引起晶格弹性能的改变 ( 畴壁处产生形变所需的能量 ) 元激发 符号 激发能 元激发类型 孤子对 SS 4 ?o / ? 电子-晶格耦合体系元激发 电子-空穴对 e - h 2 ?o 电子体系元激发 ESS ? Ee-h , 故孤子 ( 对 ) 比电子空穴对更容易激发产生 * (5) 分数电荷