微电子工艺扩散和离子注入.pdfVIP

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2019-05-01 发布于山东
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微电子工艺扩散和离子注入.pdf

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第七章扩散和离子注入第七章扩散和离子注入 §7.1 引言掺杂：是将一定数量和种类的杂质掺入到半导体中，以改变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。扩散：掺杂总量及浓度分布受扩散时间和温度影响。形成特征尺寸较大。特征尺寸较大。扩散温度较高，需氧化物或氮化物作为掩膜。扩散温度较高，需氧化物或氮化物作为掩膜。掺杂方式离子注入：杂质总量及浓度分布受注入剂量、能量离子注入：杂质和推结时间及温度决定。适于小特征尺寸的芯片。适于小特征尺寸的芯片。注入温度较低，常用光刻胶作为掩膜。注入温度较低，常用光刻胶作为掩膜。具有掺杂区的CMOS结构 p-channel Transistor n-channel Transistor O N M M K L I J p+ LI oxide n+ – – n+ STI p p+ p p+ STI n– n+ n– n+ STI p+ n p + F H + n p ++ n-well E G p-well ++ n C D p B – p epitaxial layer + A p silicon substrate CMOS制作中的一般掺杂工艺 Process Step Dopant Meth