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2019-05-01 发布于山东
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第四章复习题 1、列出芯片厂中6个不同的生产区域，并对每一区简单描述。 2、离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？ 3、离子注入后为什么要进行退火？ 4、STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？ 5、为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？ 6、光刻和刻蚀的目的是什么？ 7、描述金属复合层中用到的材料？ 8、为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？芯片厂中6个不同的生产区域硅片制造(前端) 硅片开始无图形的硅片薄膜抛光 Completed Wafer 扩散光刻刻蚀测试/拣选注入第五章氧化第五章氧化 §5.1 引言 1、能在硅片上热生长氧化层是硅基集成电路发展的基础。 2、氧化层可用于器件隔离、选择性掺杂的掩蔽层、应力消除，栅氧、表面平坦化等。 3 、氧化层的质量对器件或电路的性能有很大影响。 4、氧化物可以通过热生长或淀积形成，前者是高温下高纯氧气与硅衬底反应，后者是外部供给氧气和硅源。氧化物的作用用于隔离用于平坦化衬垫氧化物 Wafer fabrication (front-end) Wafer start Thin Films Polish Unpatterned wafer Diffusion Photo Etch Completed wafer Test/Sort Implant §5.2 SiO2 的结构、性质和用途一、结构分为结晶形和无定形两类。结晶形：Si – O 四面体在空间规则排列而成，如石英、水晶；无定形: Si - O四面体在空间无规则排列而成，如热生长 SiO2 、淀积SiO2 等。无定形SiO2 中硅原子要运动须打断四个Si - O键，而氧原子的运动最多打断两个Si - O键，因此，氧空位的出现易于硅空位。氧化的过程均是含氧的氧化剂穿过SiO2 层到达Si-SiO2 界面与Si反应生成SiO2 。 SiO 的原子结构 2 Silicon Oxygen 二、SiO2 的主要性质 1、物理性质性质 Si SiO2 3 比重（g/cm ） 2.23 2.20 禁带宽度（eV ） 1.12