硅片材料性对电池综合性能的影响.pptxVIP

硅片材料特性对电池综合性能的影响 向巍 黄宗明 电池基地 晶澳太阳能 2 May 1, 2019 晶澳太阳能VI应用培训 纲要 太阳能晶硅电池工艺简介 硅片材料特性对电池外观质量的影响 硅片材料特性对电池电性能的影响 3 May 1, 2019 晶澳太阳能 太阳能电池的结构 原料片 成品片剖面图 成品片 正面 背面 太阳能电池由硅片基底、正面结构、背面结构组成；其中硅片特性是影响电池综合性能的主要因素之一。 制绒工序 功能 去除表面油污和切割损伤层 增大光接收面积 降低反射率，增加太阳光的吸收比例 单晶绒面SEM图片 化学用品 多晶：HNO3+HF 单晶：NaOH+酒精（或IPA） 多晶绒面SEM图片 晶澳太阳能 4 May 1, 2019 扩散工序 在P型衬底的硅片上，在高温下形成表面磷掺杂，从而得到太阳能电池的关键部分---PN结。目前一般采用POCl3作为磷源，在卧式炉管中扩散。 P type：硼掺杂 N type：磷掺杂 5 晶澳太阳能 May 1, 2019 PECVD镀膜工序 在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射。 6 晶澳太阳能 May 1, 2019 丝网印刷工序 印刷分为三部分 电极印刷 电池片烧结 电池片检测 电池片正面 电池片反面 7 晶澳太阳能 May 1, 2019 8 May 1, 2019 序号 硅片缺陷 定义 1 外观 缺口 贯穿硅片的局部缺损，不允许 崩边 指硅片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，大小需小于0.2mm*0.5mm，最多允许2个 2 3 裂纹 硅片裂开缺陷，不允许 4 线痕 线切过程中产生的明显可见的加工线缺陷，高度需小于15um 6 小亮边 硅片侧面连续性微小崩边，多由粘胶面缺陷造成，长度需小于硅片边长的1/2，宽度需小于片厚的1/3 7 表面脏污 硅片的表面或侧面沾有硅胶或油污等杂物，影响硅片外观和制绒效果的缺陷，不允许 8 尺寸 厚度 硅片中心厚度，需符合到货规格要求 9 TTV 硅片最厚点和最薄点之差（5点），需小于25um 10 边长 硅片边长，需符合156±0.4mm 11 对角线 硅片对角线长度，需符合219.2±0.5mm 12 电性能 碳氧含量 硅片碳、氧元素含量， 碳含量需符合≤0.9×10E17 atoms/cm3要求 氧含量需符合≤0.9×10E18 atoms/cm3要求 13 少子寿命 硅片钝化后少子寿命，需符合≥30μs要求 14 电阻率 硅片表面电阻率，需符合0.8-3 Ω.cm范围要求 晶澳太阳能 硅片质量参数监控简介 9 May 1, 2019 尺寸测量点位： 边长测量方法：如图测量4条边的边长。 TTV测量方法：测如图中5个点的厚度，5点中最大值与最小值的差为该硅片的TTV。 对角线测量方法：测量如图所示的两条对角线长度。 厚度的测量方法：测量如图所示的硅片中心点的厚度即是该硅片的厚度。 质量参数监控方式简介 晶澳太阳能 10 May 1, 2019 硅片制绒：由于制绒过程是化学腐蚀和物理传动过程，若硅片表面存在缺陷，会导致制程碎片率升高。 硅片周转：由于硅片表面缺陷导致其表面承受应力降低，在硅片周转过程中会造成碎片率上升，硅片表面缺陷扩大。 硅片刻蚀：由于刻蚀过程是化学清洗和物理传动过程，若硅片表面存在缺陷，会导致制程碎片率升高。 电池片印刷：由于硅片凸起或凹陷的线痕影响，会使栅线印刷效果降低，产生客户不可接受的外观缺陷（结点，栅线粗细不均）。 电池片各生产制程中，有4类步骤均会对硅片表面缺陷产生扩大化影响，分别为： 1.硅片制绒； 2.硅片刻蚀； 3.硅片印刷； 4.电池片加工过程周转。 外观监控项与电池片生产相关性介绍 晶澳太阳能 May 1, 2019 崩边：指硅片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在硅片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出； 崩边经过制绒、刻蚀等一系列电池制作工艺后容易恶化，造成高比例的电池片崩边、缺口及碎片。 硅片崩边 电池片崩边 电池片缺口 电池片碎片 硅片缺陷与电池片相关性图例 晶澳太阳能 11 May 1, 2019 缺口：贯穿硅片的局部缺损，按开口角度是否小于90°分为V型缺口和钝形缺口； 缺口经过制绒等一系列电池制作工艺后容易恶化，造成高比例的电池片缺口及碎片。 硅片缺口 电池片缺口 电池片碎片 硅片缺陷与电池片相关性图例 晶澳太阳能 12 May 1, 2019 线痕：线切过程中产生的明显可见的加工线缺陷； 硅片线痕会造成电池片印刷不良，包括结点和粗细不均，同时由于丝网印刷的特殊性，一片线痕会连续影响下面3~4片硅片印刷品质。 硅片线痕 电池片线痕 电池缺陷局部图 结点 细栅线粗细不