CVD在无机合成与材料制备中解读.pptVIP

CVD在无机合成与材料制备中的应用与相关理论;;一、化学气相沉积的简短历史回顾;;;CVD技术的分类;二、化学气相沉积的技术原理;二、化学气相沉积的技术原理;二、化学气相沉积的技术原理;二、化学气相沉积的技术原理;二、化学气相沉积的技术原理;二、化学气相沉积的技术原理;CVD技术的热动力学原理;1.输送现象;;1. 辐射：物体通过电磁波来传递能量的过程。;在入射的总辐射能量Q中，有QA的能量被吸收，QR的能量被反射，其余QD的能量穿透了物体。根据能量守恒定律，得;基本概念 ;发射能力与斯蒂芬—波尔茨曼定律 ; 因同一温度下，灰体的辐射能力恒小于黑体的辐射能力，故其比值ε(1) 称为物体的发射率，也称为物体的黑度。;克希霍夫定律;两固体间的辐射传热; 两固体间的辐射传热;;两种常见的流体流动方式 层流与湍流的比较;流体经固定表面时所形成的边界层δ及 δ与移动方向x之间的关系 ;CVD反应物从主气流里往基片表面扩散时反应物在边界层两端所形成的浓度梯度 ;CVD动力学; CVD反应的进行，涉及到能量、动量、及质量的传递。反应气体是借着扩散过程，来通过主气流与基片之间的边界层，以便将反应气体传递到基片的表面。接着因能量传递而受热的基片，将提供反应气体足够的能量以进行化学反应，并生成固态的沉积物以及其他气态的副产物。前者便成为沉积薄膜的一部分；后者将同样利用扩散过程来通过边界层并进入主气流里。至于主气流的基片上方的分布，则主要是与气体的动量传递相关。 ;;用于化学气相沉积的反应类型大体如下所述:;2.1 简单热分解和热分解反应沉积;;;;2.2 氧化还原反应沉积;;2.3 其它合成反应沉积;2.4 化学输运反应沉积;;;2.5 等离子体增强的反应沉积;2.6 其它能源增强的反应沉积;;化学气相沉积生产装置;三、化学气相沉积的装置;;3.1 半导体超纯多晶硅的沉积生产装置;;3.2 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置;卧式反应器;立式反应器;桶式反应器;3.3热壁LPCVD装置;;3.4等离子体增强CVD装置（PECVD）;;;3.5 履带式常压CVD装置;3.6模块式多室CVD装置;3.7桶罐式CVD装置;3.8砷化镓（AsGa）外延生长装置;常用三种CVD技术优缺点