电光调制技术.ppt

利用泡克耳斯效应实现电光调制可以分为两种情况。 一种是施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的．但在时间上是变化的．当一束光通过晶体之后，可以使一个随时间变化的电信号转换成光信号，由光波的强度或相位变化来体现要传递的信息，这种情况主要应用于光通信、光开关等领域。 一种是施加在晶体上的电场在空间上有一定的分布，形成电场图像，即随和坐标变化的强度透过率或相位分布，但在时间上不变或者缓慢变化，从而对通过的光波进行调制，在后面介绍的空间光调制器就属于这种情况。本节先讨论前一种情况的电光强度调制。 ;. 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） ; 或采用复数表示， 即 ’()(ω ) ’()(ω ) 由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为 ;那么，通过检偏器后的总电场强度是 ’()和 ’（）在方向的投影之和，即 ;上式中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线,如图5所示。由图可见，在一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。; 若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。 为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 ／相位延迟，使调制器的电压偏置在＝％的工作点上。常用的办法有两种：;式中，△φ ?? （相当于式中的 △φ ）是相应于外加调制信号最大电压的相位延迟。其中 ω 是外加调制信号电压。;因此，调制的透过率可表示为 （) 利用贝塞尔函数恒等式将上式 展开，得 （) 由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。 为了获得线性调制，必须将高次谐波控制在允许的范围内。; 设基频波和高次谐波的幅值分别为和, 则高次谐波与基频波成分的比值为 () 若取 ＝， 则 (), (), 所以 ，即三次谐波为基波的。在这个范围内可以获得近似线性调制，因而取 () 作为线性调制的判据。 此时 代入（)式得 　(); 此外,在式中 (△φ ω) 的△φ 若远远小于， 则()式也变为:;．横向电光调制（通光方向与电场方向垂直） 物理光学已经讲过，横向电光效应可以分为三种不同的运用方式： ()沿轴方向加电场，通光方向垂直于轴，并与或 轴成夹角(晶体为切割)。 ()沿方向加电场(即电场方向垂直于光袖)，通光方向 垂宜于轴，并与轴成 夹角(晶体为 切割)。 ()沿轴方向加电场，通光方向垂直于轴，并与轴成 夹角(晶体为 切割）。 以下仅以类晶体为代表讲述第一种运用方式。;横向电光调制如图所示。因为外加电场是沿轴方向，因此和纵向运用时一样，, ，晶体的主轴 , 旋转 至 ’，’,相应的三个主折射率如下所示:; 但此时的通光方向与轴相垂直，并沿着‘方向入射(入射光偏振方向与轴成角)，进入晶体后将分解为沿’和方向振动的两个分量，其折射率分别为’和；若通光方向的晶体长度为，厚度