MOCVD外延生长GaN材料的技术进展.pdf

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１００３００１ 外延生长 材料的技术进展 ＭＯＣＶＤ ＧａＮ 张冠英，梅俊平，解新建 （ ， ） 河北工业大学天津 ３００１３０ 摘要：第三代半导体材料 由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用 ＧａＮ 前景，目前制备 的方法主要有分子束（ ）、氯化物气相外延（ ）、金属有机物化学 ＧａＮ ＭＢＥ ＨＶＰＥ 气相沉积（ ）。其中 技术制备 的速度最快，适合制备衬底材料； 技术制备 ＭＯＣＶＤ ＨＶＰＥ ＧａＮ ＭＢＥ 的速度最慢；而 制备速度适中。因而 在外延生长 材料方面得到广泛应 ＧａＮ ＭＯＣＶＤ ＭＯＣＶＤ ＧａＮ 用介绍了 法外延生长 材料的基本理论发展概况利用 法外延生长 。 ＭＯＣＶＤ ＧａＮ 、 、 ＭＯＣＶＤ ＧａＮ 材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量 衬底的制备技术，不断完善缓 ＧａＮ 冲层技术改进和发展横向外延技术加快我国具有国际先进水平的 设备的研发速度 ， ， ＭＯＣＶＤ ， 逐步打破进口设备的垄断。 关键词金属有机化合物化学气相沉积氮化镓异质外延横向外延 设备 ： ； ； ； ；ＭＯＣＶＤ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ６０４ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０３０２０１０４ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＧａＮ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ＧａＮ Ｇｒｏｗｔｈ ， ， Ｚｈａｎｇ Ｇｕａｎｙｉｎｇ Ｍｅｉ Ｊｕｎｐｉｎｇ Ｘｉｅ Ｘｉｎｊｉａｎ （ ， ， ） Ｈｅｂｅｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｔｉａｎｊｉｎ ３００１３０ Ｃｈｉｎａ ： Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｇａｌｌｉｕｍｎｉｔｒｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｏｆｆｅｒｓ ｇｏｏｄ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｖａｌｕｅ ｆｏｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ ａ ｗｉｄｅ ｒａｎｇｅ ｏｆ ， ， ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ａｎｄ ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｄｕｅ ｔｏ ｉｔｓ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ｑｕａｌｉｔｙ． Ａｔ ｐｒｅｓｅ