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西电毕设开题报告 　　学号　　西安电子科技大学硕士研究生　　学位论文选题工作检查报告　　学生姓名　　导师姓名职称　　学科专业　　论文题目　　论文工作地点　　论文类型：基础研究应用研究开发研究　　填写要求：学位论文的选题检查是加强研究生学位论文工作管理的重要环节，是对研究生学位论文工作的阶段性检查。选题检查报告由硕士生本人如实填写，导师对所填内容进行审核和检查，并对其表现给予评价。选题检查报告应在第四学期开学后第三周内前完成，由研究生班辅导员统一收齐后，交各学院主管研究生工作办公室备案，研究生院学位办公室定期审查.选题检查报告不合格或没按时送交者，将推迟其答辩。　　一、论文选题工作进展情况　　1、论文选题　　2、选题过程中已经阅读的文献资料，以及各项准备工作：　　3、与选题相关的国内外科技发展动态：　　4、详细阐述所选课题的目的和意义：　　5、根据选题所要完成的论文工作和预期的结果：　　6、论文工作所需试验、计算、加工等项工作的初步计划：　　7、论文工作进度的初步安排：　　二、指导教师检查结果　　1．　　对学生理论水平、研究能力、治学态度的评价：　　2．　　对学生论文选题工作进展情况的检查和评审意见：　　指导教师签字年月日　　某某大学某某学院　　本科生毕业论文开题报告　　课题名称：　　学生姓名：学号：　　指导教师：　　报告日期：　　2．本课题需要重点研究的关键问题、解决的思路及实现预期目标的可行性分析　　?关键问题　　1)如何提高TFET的开态电流；　　2)如何降低TFET亚阈值斜率；　　3)如何提高TFET的开态电流同时降低TFET的亚阈值斜率。　　?解决思路　　通过前期查阅相关书籍及论文，深入理解量子遂道效应，从而进一步了解TFET的原理。利用现有的量子力学和半导体物理的知识，继续理解TFET的结构特性，探究如何才能通过改变结构增强其性能。了解国内外对TFET器件的研究现状，获得启发，然后进行进一步研究。　　?可行性分析　　1)理论方面：虽然对TFET器件的研究还在逐步进行，但由于传统MOSFET的性能受　　到诸多因素的影响，TFET这种新的器件已经被人们接受认可，对其认识也越来越深入，因此，这方面的资料也非常充足。　　2)计算方面：现在通过模拟和仿真，已经可以得到TFET器件的转移特性和输出特性，　　这对TFET的性能进一步增强有着很大的帮助。　　3)国内外研究成果：XX年9月，欧洲“高能效隧道场效应晶体管开关和电路”　　项目立项启动，该项目目标是实现新型超低能耗电子系统，包括大学、研究机构和公司在内的9所机构将共同努力使“明天的电路”更节能。E2SWITCH项目任务是研发基于硅衬底隧道场效应晶体管异质结结构的超低功率电子系统，并利用量子力学效应使新晶体管的工作电压仅是现在标准手机电路工作电压的1/5。这是一个真正的挑战，特别是在未来便携式器件中独立功能将出现爆炸式增长的情况下。英特尔也是看中了TFET的潜力的企业之一。作为以低电压工作的新一代晶体管技术，该公司以前就在大力开发TFET。　　英特尔在SSDMXX上就TFET发表特邀演讲，演讲题目为“Tunnel-FETTransistorsfor13nmGate-LengthandBeyond”，由此可见，英特尔已将TFET作为10nm以后工艺的技术候补。　　东芝已经开发出了可利用CMOS工艺制造，而且与以往的硅材料TFET相比在导通电流和工艺偏差方面更有利的TFET。此次开发的TFET有3种类型，分别根据设想应用的电路块对特性进行了优化。这三种TFET分别是用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流和工艺偏差取得平衡的TFET；用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流大的TFET；用于SRAM、工艺偏差小的TFET。后两种是东芝和日本产综研的共同开发成果。　　XX年复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件，被称为“半浮栅晶体管”。把TFET和浮栅相结合，半浮栅晶体管的“数据”擦写便更加容易与迅速。　　斯莱克学院　　毕业设计开题报告　　课题名称：学生姓名：指导教师：所在院(系)部：专业名称：　　数控机床的人机工程学设计唐山学号：XX10101周漪副教授帆羽副教授武魂学院工业工程　　XX年03月20日