三氯氢硅合成工艺的影响因素及控制.docVIP

三氯氢硅合成工艺的影响因素及控制 摘要：本文介绍了目前三氯氢硅合成工艺中工业硅 粉粒度、氯化氢气体含水量及纯度、流化床生产工艺参数对 合成系统的影响。本文通过生产实践发现：将硅粉的粒度控 制在125~425 um之间，氯化氢合成工艺中通过工艺控制使 氢气过量，合成的氯化氢气体纯度控制在90%左右，含水量 控制在0.05%以下，合成炉内部温度控制在320°C左右，进 出口压差在15Kpa左右，可大大提高三氯氢硅合成反应的转 化率和降低生产周期。 关键词：三氯氢硅；工业硅粉；氯化氢气体；流化床； 工艺控制 分类号：F287文献标识码：A The influence factors and control of the process trichlorosilane synthesis Xiao RonghuiXin ChaoWan Ye China ENFI Engineering CorporationBeijingl00038 Abstract : The study introduces the influence factors of the process trichlorosilane synthesis, included the size of silicon powder, themoisture content and gas purity of hydrogen