LCD生产工艺流程.ppt

CSTN/STN液晶显示屏生产线 定向段 TOP前清洗 TOP印刷 TOP主固化 PI前清洗 PI印刷 PI主固化 PI预固化 摩擦 清洗 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，溶剂洗（KOH溶液等）等，评价手段：接触角（小于7度）或蒸汽检查。 PI印刷：电压主要影响因素，定向效果（显示均匀性等）的关键 评价手段：膜厚、尺寸位置、均匀性 固化：主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段：温度均匀性、温度曲线 摩擦：用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽 评价手段：蒸汽检查摩擦效果 主要不良：PI斜纹/PI白条/PI黑条/显示不均等 TOP/PI印刷标记 热压出货检查对位位置要求：对盒错位要求： SEG线与CF面 R像素偏位覆盖BM层， 刚好进入到另一个像素G或B判定为合 。转印点区域不能有上下电极错开为最佳，错开位置以引起SEG线，COM线同层或不同层之间短路为不合格标准判定； 后段 切割 断粒 插条 灌晶 加压封口 清洗 电测 分色 二次清洗 贴片 COG TAB 模组 主要不良：边蹦/表面划伤/欠灌（LC未灌满）/封口对比度（LC污染或封口污染）/封口处显示黑白点（LC污染或封口污染） 品质检验设备 * LCD LCD制造部 2007年02月08日 LCD工艺流程 曝光 前清洗及涂光刻胶 显影/酸刻 TOP / PI 摩擦 装配 图形段 来料玻璃 清洗 涂感光胶 前烘 曝光 显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗，超声波清洗，臭氧洗、UV清洗，溶剂洗等 评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查 涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶。 评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果 曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位 评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度 酸刻：盐酸、硝酸混合物，温度对酸刻效果影响大，温度过低生产效率降低快，过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去。也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。 评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀 主要不良：断路（ITO线断开）/短路（不该相连的两条ITO线连在一起） 浮胶 微断 微断 短路 短路 短路 原材料玻璃极板 ITO层 Substrate 工艺环境：工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：55±15%RH。工艺条件：KOH：纯水=3：100（3～4%KOH溶液）；温度：40±2℃， IR炉板实际温度100±10℃。每月测一次。UV照度：≥19.6mu/cm2 .每月测一次.工艺重点管控：清洗液及DIW的温度、流量，玻璃传送的节拍，毛轮的压入量，气刀的压力、角度，DIW的电阻率（离子的含量）不小于15兆欧，过滤芯的规格及定期更换等。  工艺环境：净房洁净度100级，温度：23±2℃，湿度：55±5％RH，黄灯区。预烘温度：玻璃表面实际温度100 ±5℃，100 ~120秒。光积量为100~150mj/cm2 。工艺重点管控：光刻胶粘度，涂胶轮转数、压入量，光刻胶前烘温度及时间，洁净度等。光强强度及其分布，曝光机内温度，环境的温湿度及洁净度，CF玻璃的流向及曝光精度（±2u）等 工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：55±10％RH。工艺条件：显影剂溶液的浓度：0.70～0.73%的KOH, 温度：23±2℃，坚膜炉温度：玻璃表面实际温度130±5℃，100 ~120秒。 工艺重点管控：显影液浓度及温度、喷淋的流量，玻璃节拍，过滤芯规格及定期更换，光刻胶后烘温度及时间，气刀压力等。 工艺环境：净房洁净度1000级，温度：23±2℃，湿度：55±10％RH。工艺条件：酸刻液配比：纯水:HCl:HNO3＝10:20:1（体积比）；HCl浓度36～38％，HNO3浓度65～68％，酸刻液当量浓度：7.0～7.5N，脱膜液：5±1％KOH溶液；温度：40±1℃ 工艺重点管控：酸刻液/脱膜浓度及温度、喷淋