第3讲 气体放电理论.pptVIP

主要内容 气体中带电质点的产生和消失 气体放电机理 电晕放电 不均匀电场中气体击穿的发展过程 雷电放电 1.2 气体放电机理 气体放电的主要形式 汤森德放电理论 流注放电理论 3、流注放电理论 对象：工程上感兴趣的压力较高的气体击穿，如大气压力下空气的击穿 特点：认为电子碰撞电离及空间光电离是维持自持放电的主要因素。并强调了空间电荷畸变电场的作用 通过大量的实验研究（主要在电离室中进行的）说明放电发展的机理 电离室 电离室结构示意图 1－照射火花间隙；2－石英窗；3－电极 4－玻璃壁；5－橡皮膜；6－绝缘柱 电子崩阶段：碰撞电离，空间电荷畸变外电场 电子崩阶段 电子崩外形 好似球头的锥体，空间电荷分布极不均匀 电子崩（头）中的电子数：n＝e ?x 空间电荷畸变了外电场 流注阶段 电子崩走完整个间隙后，大密度的崩头电子和崩尾正离子空间电荷大大加强了前部（非常小的间隙）和后部的电场，崩中部电场大为减弱。崩头部发生强烈的电离，并引起向周围放射出大量光子 光子引起空间光电离，其中电子被主电子崩头部的正空间电荷所吸引，在受到畸变而加强了的电场中，造成了新的电子崩，称为二次电子崩 正流注的形成（外加电压等于击穿电压时!） 二次电子崩中的电子进入主电子崩头部的正空间电荷区（电场强度较小），大多形成负离子。大量的正、负带电质点构成了混合通道（有人称等离子体），这就是正流注 流注通道导电性良好，其头部又是二次电子崩形成的正电荷，因此流注头部前方出现了很强的电场 正流注向阴极推进 流注头部的电离放射出大量光子，继续引起空间光电离。流注前方出现新的二次电子崩，它们被吸引向流注头部，延长了流注通道 流注不断向阴极挺进，且随着流注接近阴极，其头部电场越来越强，因而其发展也越来越快 流注发展到阴极，间隙被导电良好的火花通道（热电离!）所贯通，间隙的击穿完成，这个电压就是击穿电压 负流注的形成（电压高于击穿电压!） 电压较低时，电子崩需经过整个间隙才形成流注，电压较高时，电子崩不需经过整个间隙，其头部电离程度已足以形成流注 正流注的分支（高电压时） 在较高电压下，正流注的发展可能出现分支 试验测量结果：电子崩 在电离室中得到的初始电子崩照片 图a和图b的时间间隔为1?10-7秒 p=270毫米汞柱，E=10.5千伏/厘米 试验测量结果：正流注 在电离室中得到的阳极流注发展过段的照片 正流注的发展速度约为1?108?2?108cm/s 试验测量结果 电子崩是沿着电力线直线发展，流注会出现曲折的分支 自持放电条件 一旦形成流注，放电就进入了新的阶段，放电可以由本身产生的空间光电离而自行维持，即转入自持放电了 流注理论对?S较大时放电现象的解释 放电外形： ? S较大时，放电具有通道形式 放电时间 流注理论现存的问题 只有放电的定性描述没有定量描述 缺少数学模型 太依赖于实验 1.3不均匀电场中的放电过程 （电晕放电） 发生电晕放电现象的条件 电晕放电效应 对工程实践的重要意义 电场不均匀系数 f 引入电场不均匀系数 f 表示各种结构的电场的均匀程度 1、发生电晕放电现象的条件 电场比较均匀的情况 放电达到自持时，? 在整个间隙中都巳达到相当数值。这时和均匀电场中情况类似 电场极不均匀的情况 大曲率电极附近很小范围内? 已达相当数值时，间隙中大部分区域值? 都仍然很小，放电达到自持放电后，间隙没有击穿！ 2、电晕放电的效应 发出咝咝的声音、臭氧的气味、电极附近空间蓝色的晕光 化学反应产生新物质 回路电流明显增加(绝对值仍很小)，可以测量到能量损失 产生高频脉冲电流-----干扰源 高频脉冲电流 尖极为负的电晕 尖极为正的电晕 对工程实践有重要意义 3 直流输电线上的电晕 单导线表面电晕的临界场强 双平行导线表面电晕的临界场强 皮克实验 4 交流输电线上的电晕 单导线表面电晕的临界场强 皮克实验 三相导线对称排列，导线表面电晕的临界场强 不均匀电场中气体击穿的发展过程 短间隙的放电过程 长间隙的放电过程 1、极不均匀电场中的放电过程（短间隙） 以棒－板间隙为例 当棒具有负极性时 极性效应 实验表明： 棒—板间隙中棒为正极性时电晕起始电压比负极性时略高。 当棒具有正极性时 电子崩进入棒电极，正电荷留在棒尖加强了前方（板极方向）的电场（曲线2） 电场的加强对形成流注发展有利。头部前方产生新电子崩，吸引入流注头部正电荷区内，加强并延长流注通道 流注及其头部的正电荷使强电场区更向前移（曲线3），促进流注通道进一步发展，逐渐向阴极推进，形成正流注 当棒具有负极性时 电子崩由强场区向弱场区发展，对电子崩发展不利。棒极前的正电荷区消弱了前方（阳极方向）空间的电场，使流注发展