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- 2019-05-30 发布于天津
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有金半接其中有任何中金半之有所散之在金半的界面上不存在表面荷子能由材料的而到完全自由所需之能量之自由子所在之位置之金的就在材料表面因此其便是和的差半的金有因其在之下所以其其中也就是子由表面至所需之能量每一半有其特定值至於之差值定在的入量定金半接有四可能性的合半分及而其中金的半的有大有小的可能性以金及的半接例金的大於半的接半有子流入金因高平衡後在半因保持中性自然形成正有正荷之子存在最後形成一反向阻止子流向金在半界面形成一外之障位能位能障值金之半的差值金的小於半的象不存在金的大於半的所形成之界面的二
MS Contacts Schottky Diodes Ideal MS contact 僅有金屬與半導體接觸,其中沒有任何中間層 金屬與半導體之間沒有所謂擴散之問題 在金屬與半導體的界面上不存在表面電荷 電子能夠由材料的Fermi level脫離而達到完全自由所需之能量稱之為work function。 自由電子所在之位置稱之為vacuum level 金屬的fermi level 就在材料表面,因此其work function 便是 vacuum level 和fermi level 的差 半導體的work function與金屬有別,因為其fermi level 在CB之下,所以其work function 其中 為electron affinity ,也就是電子由CB表面脫離至vacuum level 所需之能量,每一半導體有其特定值,至於fermi level 與CB之差值則決定在雜質的摻入量來決定。 金屬與半導體接觸將有四種可能性的組合,半導體區分為P type 及N type,而其中金屬的work function 與半導體的work function 將會有大有小的可能性 以金屬及N type的半導體接觸為例 當金屬的work function 大於半導體的work function 時,剛接觸時,半導體區將會有電子流入金屬區(因為femi lev
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