电子元件的识别与检测二极管、三极管、电容、电阻精编版.pptVIP

三、晶体管的主要参数 （1）电流放大系数 它是表征晶体管电流放大能力的参数。 直流电流放大系数 （hFE）：集电极直流电流与基极直流电流之比即 : 交流电流放大系数 （hfe）：集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比，即： （2）极间反向饱和电流 这是衡量晶体管质量优劣的重要指标 1）集电极 基极反向饱和电流ICBO 2）集电极 发射极反向饱和电流ICEO ICBO测量电路 ICEO测量电路 （3）极限参数 指晶体管使用时电压、电流、及功率的极限值 1）集电极最大允许电流ICM 2）反向击穿电压： UCEO、 UCBO、 UEBO 3）集电极最大允许耗散功率PCM 晶体管在使用时要注意：ICICM，UCE UCEO，PCPCM，晶体管才能长期安全工作，即应使晶体管工作在下图所示的安全工作区内。 判定电路中晶体管的工作状态 结合图中所示的晶体管内部结构与PN结的正向偏置示意图，比较三个电极电位的高低，并判定晶体管工作状态。 分析工作状态 当VP＞VN，则称PN结正偏，反之称为反偏。（以NPN管为例PNP管与此相反） 1）VC＞VB＞VE ，为发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作处于放大状态。 2）VB＞VC＞VE，为发射结正偏，集电结