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功率元件驱动设计 SCR BJT MOS IGBT 驱动设计 朱国荣 2007-11-11 电力半导体器件 厂内常用功率半导体 SCR简介 BJT结构参数及驱动设计 BJT简介 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） ?分类 根据功率，可分为小功率晶体管和电力晶体管 ?应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 ?应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 BJT的开关特性 3.3 电力场效应晶体管 3.3.1 概述 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 3.3.3 电力MOSFET的基本特性 3.3.4 电力MOSFET的主要参数 3.3.1 概述 也分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称 电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 3.3.1 概述 ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小 开关速度快，工作频率高 热稳定性优于GTR 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为 P沟道 和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的结构 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别 电力MOSFET的多元集成结构 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 小功率MOS管是横向导电器件 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为 VMOSFET（Vertical MOSFET）——大大提高了 MOSFET器件的耐压和耐电流能力 按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂 直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET） 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过 3.3.2 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的工作原理 导电：在栅源极间加正电压UGS 栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 3.3.3 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 3.3.3 电力MOSFET的基本特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为 跨导Gfs 3.3.3 电力MOSFET的基本特性 MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利 3.3.