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微电子元器件与项目训练 授课教师：余菲 第2章 双极型晶体管 教师：余菲 电子邮件：yufei198275@oa.szpt.net 电话讨论主题： 1.晶体管结构与分类 2.晶体管的直流特性 2.1晶体管的放大原理 2.2晶体管的直流电路 2.3晶体管的反偏特性 3.晶体管的开关特性 4.晶体管的设计 2.晶体管的直流特性 2.1晶体管的放大原理 扩散长度的含义： 超量载流子浓度下降到0时候的扩散距离 PN结扩散与复合的关系： 边扩散变复合，形成稳定的浓度梯度，最后少子浓度下降到0，扩散流完全转化为漂移流 理解PN节电流公式: 精神的精髓: BE 之间的电压决定了BE之间的电流,但是BE之间的电流绝大部分都漏到了C那里去了,漏的和不漏的成比例,所以有电流放大作用 问题：为什么两个二极管不能实现放大? 猜想：什么能影响放大倍数？ 从PN节电流公式出发: 但是，如果基区很小，则载流子不用一个扩散长度就恢复到零，而是用一个基区的宽度就恢复成零L-W 计算题 已知一个晶体管的发射效率有99%，而基区输运系数为98%，求该晶体管的共发射极放大倍数，共基极放大倍数。 关于放大倍数影响因素的讨论： p129-139 设计晶体管重要考虑，课程重要要求 1.发射结电子空穴复合以及发射极重掺杂 2.基区变宽效应 2.2晶体管的直流电路 ＮＰＮ晶体管是电子传输过程 放大倍数与特征曲线： 输入特性／输出特性 2.3晶体管的反偏特性 晶体管的反向电流是晶体管的重要参数之一，它包括ICBO，IEBO和ICEO 。 反向电流过大的危害： 　　　降低成品率 （反向电流不受输入电流控制，对放大作用无贡献，而且消耗电源功率使晶体管发热，影响晶体管工作的稳定性，甚至烧毁 ） 　　　所以，希望反向电流越小越好 。 ICBO 当发射极开路（IE=0）时， 集电极-基极的反向电流 反向电流＝少子电流＋多子电流 +杂质电流 ◆锗晶体管的反向电流：反向扩散电流（少子电流） ◆硅晶体管的反向电流：势垒区的产生电流（因为势垒区的产生电流是由势垒区中的复合中心提供的）多子电流 IEBO 集电极开路（IC=0）时， 发射极-基极的反向电流 ◆锗晶体管 ◆硅晶体管的IEBO完全与ICBO类似 注意 晶体管的反向扩散电流和势垒区的产生电流是很小的。 引起反向电流过大的原因往往是表面漏电流太大。 因此，在生产过程中，搞好表面清洁处理及工艺规范是减小反向电流的关键。 ICEO 基极开路（IB=0）时， 集电极-发射极之间反向电流 β：共射极电流放大系数 说明 ▲要减小ICEO，必须减小ICBO。 ▲电流放大系数β不要追求过高 （因为ICEO太大，会影响晶体管工作的稳定性） 晶体管的击穿电压 ▲晶体管的击穿电压是晶体管的 另一个重要参数 ▲晶体管承受电压的上限 ▲击穿电压有 BVEBO BVCBO BVCEO BVEBO和BVCBO BVEBO：集电极开路时，发射极与基极间的击穿电压，由发射结的雪崩击穿电压决定。 对于平面管，由于发射结由两次扩散形成，在表面处结两边杂质浓度最高，因而雪崩击穿电压在结侧面最低，BVEBO由基区扩散层表面杂质浓度NBs决定，所以BVEBO只有几伏。 ▲硬击穿（图中曲线甲）： BVCBO：集电结的雪崩击穿电压VB ▲软击穿（图中曲线乙）： BVCBO比VB低 BVCEO BVCEO 基极开路时，集电极与发射极 之间的击穿电压。 BVCEO与BVCBO之间满足以下关系 BVCEO测试的电路图 测试时经常可以看到如图所示的负阻击穿现象。 （当VC达到BVCEO时发生击穿，击穿后电流上升，