剖析存储器装置.pptVIP

6.1 半导体存储器的性能特点和分类 6.1.1半导体存储器的分类 1．按制造工艺分类 （1）双极（Bipolar）型 由TTL（Transistor-Transistor Logic）晶体管逻辑电路构成。 存储器工作速度快，与CPU处在同一量级 集成度低、功耗大、价格偏高 （2）金属氧化物半导体型（MOS型） 用来制作多种半导体存储器件，如静态RAM、动态RAM、EPROM、E2PROM、Flash Memory等。 集成度高、功耗低、价格便宜 速度较双极型器件慢 6.1.2 半导体存储器的主要性能指标 1．存储容量 2．存取速度 3．功耗 4．可靠性 5．性能/价格比 6.1.3 半导体存储芯片的组成 1．存储体（行列式） 2．地址译码器 3．控制逻辑电路 4．数据缓冲器 6.2 随机存取存储器 6.2.1 静态RAM 1．SRAM的基本存储电路 2．SRAM的读写过程 （1）读出过程 ① 地址码A11~A0加到SRAM芯片的地址输入端，经X与Y地址译码器译码，产生行选通、列选通信号，选中某一单元。 ② 被选中单元的信息（0或1）经一定时间出现在I/O电路的输出端。I/O电路对读出信号放大、整形后送双向三态缓冲器。 ③ 在送上地址码的同时，还要送上输出允许信号和片选信号。和有效，双向三态缓冲器的输出三态门打开，所读信息送至DB总线上，于是存储单元中的信息被读出。 2．SRAM的读写过程 （2）写入过程 ① 地址码A11~A0加到SRAM芯片的地址输入端，选中相应的存储单元。 ② 将要写入的数据放在DB上。 ③ 加上有效的片选信号CE和写信号WE,这时三态门打开，DB上的数据进入输入电路，送到存储单元的位线上，写入该存储单元。 3．典型SRAM芯片 6.2.2 动态RAM 1．DRAM的基本存储电路 DRAM是以MOS晶体管栅极电容是否充有电荷来存储信息的，其基本单元电路一般由四管、三管和单管组成 2．DRAM的特点 （1）DRAM芯片的结构特点 DRAM与SRAM一样，都是由许多基本存储元电路按行、列排列组成二维存储矩阵 DRAM芯片集成度高，存储容量大，因而要求地址线引脚数量多 （2）DRAM的刷新 刷新，就是不断地每隔一定时间（一般每隔2ms）对DRAM的所有单元进行读出，经读出放大器放大后再重新写入原电路中，以维持电容上的电荷，进而使所存信息保持不变 （1）芯片的引脚 （2）内部结构 6.2.3 PC机内存条 1．FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页面模式内存） 2．EDO DRAM（Extended Data Out DRAM,扩展数据输出内存） 3．SDRAM（Synchronous Burst DRAM, 同步突发内存） 4．DDR（Double Data Rate, 双倍数据速率）SDRAM 6.3 只读存储器 6.3.1 可擦除可编程EPROM 1．基本存储电路和工作原理 2．编程和擦除过程 EPROM的编程过程实际上就是对某些单元写入“0”的过程，也就是向有关的FAMOS管的浮置栅注入电子的过程。 3．典型的EPROM芯片介绍 （1）芯片特性 2K*8 （2）工作方式 6.3.2 电可擦除的可编程E2PROM 1．芯片特性 2．工作方式 6.3.3 快速擦写存储器 快速擦写存储器（Flash Memory）也称为闪速存储器 它是一种新型的半导体存储器 1．闪存的特点 （1）按区块（Sector）或页面（Page）组织 （2）可进行快速页面写入 （3）内部编程控制逻辑 （4）在线系统编程能力 （5）软件和硬件保护能力 2．闪存的应用 目前闪存主要用来构成存储卡，以代替软磁盘 6.4 半导体存储器接口技术 6.4.1 存储器与CPU接口的一般问题 1．存储器与CPU之间的时序配合 2．CPU总线的负载能力 3．存储芯片的选用和地址分配 对芯片类型的选用 对芯片型号的选用 地址线的连接 如前面所述，和计算机接口的存储芯片会有N根地址线引脚，用于选择片内的存储单元或端口，称为字选或片内选择；为区别同类型的不同芯片，外围芯片通常都有一个片选引脚，仅当该引脚为有效电平（通常为低电平）该片才被选中。 一个芯片的某个单元的地址由片选的地址和片内字选择地址共同组成，因此字选和片选引脚均应接到CPU的地址线上。连线的方法是： 字选线：外围芯片的字选（片内选择）地址线引脚直接接单片机的从A0开始的低位地址线 片选线：根据实际情况有三种连线方法 6.4.2 存储器与地址总线的连接 1．全译码法 全译码法是指将地址总线中除片内地址以外的全部高位地址接到译码器的输