第六部分俄歇电子能谱.pptVIP

俄歇电子能谱(AES);俄歇电子能谱法; 俄歇电子能谱(AES);俄歇过程和俄歇电子能量;俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与，所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。(Z?3)孤立的锂原子因最外层只有一个电子，也不能产生俄歇电子，但固体中因价电子是共用的，所以金属锂可以发生 KVV 型的俄歇跃迁。;俄歇电子产额;俄歇分析的选择;为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法且空间分辨率高？;直接谱与微分谱;石墨的俄歇谱;化学位移效应;锰和氧化锰的俄歇电子谱;2）当俄歇跃迁涉及到价电子能带时，情况就复杂了，这时俄歇电子位移和原子的化学环境就不存在简单的关系，不仅峰的位置会变化，而且峰的形状也会变化。;3)能量损失机理导致的变化将改变俄歇峰低能侧的拖尾峰。;俄歇电子能谱法的应用;在材料科学研究中的应用;局限性;俄歇电子能谱的信息;深度分析;微区分析 ;??区分析;微区分析;微区分析;微区分析; 俄歇电子能谱的应用举例 ;固体表面清洁程度的测定 ;固体表面清洁程度的测定;表面清洁前后的铬薄膜表面俄歇电子能谱检测;表面吸附和化学反应的研究 ;从图上可见，当暴氧量达到50 L时，Zn LVV的线形就发生了明显的变化。俄歇动能为54.6eV的峰增强，而俄歇动能为57.6eV的峰则降低。表明有少量的ZnO物种生成。随着暴氧量的继续增加，Zn LVV线形的变化更加明显，并在低能端出现新的俄歇峰。表明有大量的ZnO表面反应产物生成。 ;1 L的暴氧量的吸附后，开始出现动能为508.2eV的峰。该峰可以归属为Zn表面的化学吸附态氧，当暴氧量增加到30L时，在O KLL谱上出现了高动能的伴峰，通过曲线解叠可以获得俄歇动能为508.6 eV和512.0eV的两个峰。后者是由表面氧化反应形成的ZnO物种中的氧所产生。即使经过3000L剂量的暴氧后，在多晶锌表面仍有两种氧物种存在。这结果表明在低氧分压的情况下，只有部分活性强的Zn被氧化为ZnO物种，而活性较弱的Zn只能与氧形成吸附状态。 ;薄膜厚度测定 ;薄膜厚度测定;薄膜的界面扩散反应研究 ;薄膜的界面扩散反应研究;界面扩散反应研究;界面扩散反应研究;固体表面离子注入分布及化学状态的研究 ;固体表面离子注入分布及化学状态的研究;固体表面离子注入分布及化学状态的研究;固体化学反应研究 ;固体化学反应研究 ;固体化学反应;固体化学反应;Cr LM1M2 ; END