放大电路设计和分析报告.pptVIP

第2章 放大电路的工作 B C E rb Cbc Cbe Cce 图2.28 晶体管内部电阻与电容 （晶体管的等效模型有各种表示方法，关于高频特性的表示方法，该图的模型就已足够了） 第2章 放大电路的工作 rb Cbc Cbe Cce 共发射极放大电路 Cbc两端的电 压为vi（1+Av） vi 输出 信号源vi 增益Av （a）考虑晶体管的电容成分后的电路 第2章 放大电路的工作 增益为Av的 理想放大器 输出 共发射极放大电路 输入 rb与Ci形成低 通滤波器 由于密勒效应，可将 Cbc看成增大了1+Av倍 （b） 等效电路 图2.29 使共发射极电路高频特性下降的要素 rb Cce 信号源vi 第2章 放大电路的工作 2.3.6 提高放大倍数的手段 然而，即使有这样很好工作的电路，也常有想再稍微提高放大倍数的情况。但是，如果随意的改变Rc和Re的值，则连偏置的状态也改变了，从而导致最大输出振幅下降（集电极电位显著地偏向电源或GND而引起的），或者偏置随温度而变化得不稳定。 因此，为了不破坏直流电位关系而又提高交流增益，可以采取如下方法：如图2.30（a）所示，并联连接发射极电阻Re和电阻C，或者如图2.30（b）那样，将Re进行分割成R与Re用C并联接地。 这样一来，发射极—GND间的交流电阻变小，所以增加了交流放大倍数。 第2章 放大电路的工作 交流地来看 图2.30 提高交流放大度的方法（a） （在发射极电阻Re上并联电容，就能够降低这部分的阻抗。这样，直流增益保持不变，而又能够提高交流增益） 第2章 放大电路的工作 交流地来看 图2.30 提高交流放大度的方法（b） 谢 谢！ 放映结束 感谢各位批评指导！ 让我们共同进步 第2章 放大电路的工作 2.2.5 选择晶体管 图2.5所示，晶体管有PNP和NPN两种类型。图2.1是用NPN晶体管组成的电路。用PNP组成的电路如图2.13。 使用PNP晶体管的电路与使用NPN晶体管的电路，其电流方向相反。为了使偏置电压的极性相反，就成为将电源GND进行交换的形式。在这里采用的是NPN型晶体管。 现在，具体来选择晶体管。晶体管依照其用途大致分为高频（2SAxxxx，2SCxxxx）与低频（2SBxxxx,2SDxxxx）进一步还可以分为小信号与大功率（在型号上不能区分）。 晶体管的型号有几千多种，所以在其中选择自己所需要的型号是很困难的。 第2章 放大电路的工作 在追求最终性能（噪音大小和高频特性等）的情况下。晶体管的特性左右电路的特性，所以必须要慎重选择器件。 在实验电路中没有考虑到很周全，但在实际电路中是不可以，所以只要不超过晶体管的最大定值，无论那种型号都能工作。反之，如果遇到此类型的电路，不必要太在意型号，只要是NPN型晶体管的任何一种都可以。 考虑一下晶体管的最大额定值，因电源电压为15V，所以在集电极—基极间和集电极—发射极间有可能最大电压加到15V（加上大振幅输入信号时）。因此，选择集电极—基极间的电压VcBo与集电极—发射极间的电压VcEo的最大额定值为15V以上的器件。 第2章 放大电路的工作 特性频率fT/MHz 发射极电流IE/mA 图2.14 2SC2458的频率特性与发射极电流的关系 （通常晶体管具有一增加发射极电路=工作电流，则频率特性就有变好的倾向） 600 4 0 在IE=40mA时频率 特性最好 共发射极电路 Vce=10V Ta=25℃ 第2章 放大电路的工作 2.2.6 确定发射极电流的工作点 接着是设定工作点。晶体管的性能，特别是频率特性随着发射极电流（或者集电极电流）变化而产生很大变化。 在图2.14中2SC2458的频率特性与发射极电流的曲线图。fT称为晶体管的特性频率，它表示交流电流放大系数为1时的频率。它的值随发射极电流从30～500MHz有很大的变化。关于fT先了解这些就可以了。 由该曲线图可知，如果希望频率特性最好（fT最高），必须将设定在IE=40mA。 对于噪声特性也一样，存在着噪声最小的集电极电流。在同一晶体管中，频率特性好的发射极电流与噪声特性最好的发射极电流不同。 该电路那样小信号共发射极电路的发射极电流大小是从0.1mA至数毫安 第2章 放大电路的工作 2.2.7 确定Rc与RE的方法 电路的放大倍数是由Rc与RE之比来决定的，所以令AV=5，取Rc：RE=5:1。 为了吸收基极—发射极间电压VBE随温度的变化，而使工作点稳定，RE的直流压降必须在1V以上。这是因为VBE