金属互连电迁移可靠性的新表征参量研究.pdfVIP

4 金属互连电迁移可靠性的新袁征参量研究 们看到，通过对信号非高斯性强弱的反应，高阶统计量同样可以用来表征电迁移 过程。 本文所采用的相关积分法及高阶统计量法是现今比较流行的时间序列分析方 法，我们将它们应用予电迁移噪声时间序列分析，并对得出的结果结合电迁移内 部机理做出了合理的解释。分析结果表明，时间序列分析方法可以作为一种新的 表征电迁移过程的有力工具。 1．2论文结构及研究内容 本文共分为五章，各章的内容具体安排如下； 第一章绪论。概述了本课题的背景；介绍了电迁移研究现状；总结了电迁移 表征参量的发展；提出了时间序列分析电迁移过程的重要意义。 第二章金属互连电迁移失效物理及表征参量与模型。详细介绍了电迁移现象 及其失效机理；总结了已有的电迁移表征参量的优缺点；研究了电迁移噪声的特 性。 第三章分形理论与相关积分法用于电迁移噪声分析。引入了分形的概念；证 明1／厂噪声是一种分形信号，用相关积分法分析电迁移数据并进行电迁移失效预 测，对结果给出物理解释。 第四章高阶通计量法用于电迁移噪声分析及结果讨论。将时序分析的高阶统 计量法用于分析电迁移信号与预测电迁移失效。对结果给出物理解释。 第五章结论与展望。归纳论文成果并展望课题的下一步工作。 第二章金属互连电迁移失散物理及表征参量与模型 5 第二章金属互连电迁移失效物理及表征参量与模型 ， 2．1电迁移现象及失效机理 2．1．1电迁移现象 电迁移现象是由于在电流作用下金属中的离子位移所致，是金属互连中的金 属原子受到运动的电子作用引起的物质输运现象。它首先表现为电阻值的线性增 加，到一定程度后就会引起金属膜局部亏损而出现空洞，或引起金属膜局部堆积 而出现小丘或晶须，最终导致突变失效，严重影响集成电路的寿命。 在半导体集成电路中，金属布线层大多采用铝淀积层。铝淀积膜是使用物理 淀积方法(如真空蒸发、溅射、电子束淀积等)形成的，为多晶结构，如图2．1 所示。在无电流应力情况下，互连线中由于晶格热运动，少数金属原子的能量可 图2．1铝淀积膜的微观模式图 图2．2电应力下导线中铝原子受力图 能超过晶格束缚能，成为自由原子，在互连线中自由扩散。但是在这种自扩散运 动是随机的，只是引起随机的金属原子问的重新排列而已，而且处于热力学平衡 状态．而在应力作用下，金属互连线中有电流流过，互连线中金属原子的受力情 况如图2．2所示州。其中E是库仑力，与电场同一方向的。只为载流予(这里 是电子)撞击金属原予，作用在金属原子上的力，也叫电子风力。通过自由原予 与电子流的相互作用(动量交换)后，金属原子会出现宏观位移。应力作用下， 对于铝金属互连线，已知电子风力比库仑力约大十倍左右。因此应力作用下，互 连线中铝原子会沿电子运动的方向输运，在原子移动轨迹上产生原子空位，互连 线有效截面积减少，电流密度进一步增大，空隙生长如速，直至断条。同时，在 金属原子堆积的地方产生小丘11“，造成临近布线的短路。图Z．3显示了扫描电子 显微镜下所观察到的电迁移现象【l”。 6 金属互连电迁移可靠性的新表征参量研究 (a)空隙生长产生断条 (b)原子堆积产生小丘 图2．3扫描电子显微镜(s喇)观察到的电迁移图像 综上所述，电迁移过程中的金属离子流可表示为： Jt=J：一J； (2．I) 其中，Z是由于与电子碰撞产生的流；砰是由于电场力产生的流。Z又可用经 验公式表示为： ‘=(eⅣ)(cf见-O(eO／kT)／E (2—2) D为离子扩散系数；Ⅳ为参与传输的离子浓度；k为玻尔兹曼常数；以为电子电 阻率；E为电场力；c，为比例常数。令c以一l=Z，即得： 以=eZN(eD／kT)E (2—3) 2，1．2电迁移失效机理