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半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机，玻璃基ZnO薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 UV762双光束紫外可见分光光度计外观图： (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm。 b．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c．吸收池：玻璃——能吸收UV光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 0.575 0.575 光源 单色器 吸收池 检测器 显示 双光束紫外可见分光光度计则为： 双光束紫外可见分光光度计的光路图如下： (2)光吸收定律 透射光 透射光 It 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： (1) I0：入射光强；Ix：透过厚度x的光强；It：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T为： (2) 则 即半导体薄膜对不同波长i单色光的吸收系数为： (3) 2.吸收光谱、半导体材料的能带结构和半导体材料禁带宽度的测量 (1) 吸收光谱 以不同波长i单色光入射半导体ZnO薄膜（膜厚d为593nm），测量透射率Ti，由式(3)计算吸收系数αi；由 计算光子能量Ei，其中，是频率，c是光速(c =3.0×1017nm/s)，i是波长(nm)，h是普朗克常数= 4.136×10－15。 然后以吸收系数α对光子能量E作图，得到如下的吸收光谱图： (2) 半导体材料的能带结构 满带：各个能级都被电子填满的能带； 禁带：两个能带之间的区域——其宽度直接决定导电性，禁带的宽度称为带隙； 价带：由最外层价电子能级分裂后形成的能带 (一般被占满) ； E满带价带 E 满带 价带 空带 导带 禁带 禁带 导带：未被电子占满的价带。 导体：(导)价带电子 绝缘体：无价带电子，禁带太宽 3~6 3~6 eV 半导体：价带充满电子，禁带较窄 0.1~2 0.1~2 eV 0.1~2 eV 外界能量激励 满带电子激励 成为导带电子 (3) 半导体材料禁带宽度的测量 本征吸收：半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收。 产生本征吸收的条件：入射光子的能量（hν）至少要等于材料的禁带宽度Eg。即hν ≥ Eg 根据半导体带间光跃迁的基本理论（见有关半导体物理书籍），在半导体本征吸收带内，吸收系数与光子能量hν又有如下关系： (4) 式中hν为光子能量；Eg为带隙宽度；A是常数。 由此公式，可以用(αhν)2对光子能量hν作图，如下： 然后在吸收边处选择线性最好的几点做线形拟合，将线性区外推到横轴上的截距就是禁带宽度Eg，即纵轴(αhν)2为0时的横轴值hν。如下图所示： 四、实验步骤 1.开机并自检 2.将制备的ZnO薄膜和空白样置光路中，在主菜单中选择“光谱测量” 3.在“光谱测量”菜单中设 测量模式：T 扫描范围：370～410nm 记录范围：0.000％～120％ 扫描速度：中 采样间隔：0.1 扫描次数：1 显示模式：连续 按“Start”键。扫描。显示图谱后按“F3”存贮图谱并命名。按“F4”。 4. 在主菜单中选择“数据处理”，按“F2”调用刚刚存贮的图谱，用“多点采集”采集370～410nm内每隔2nm的透射率T数据（即372、374、376、…408、410nm 五、数据处理 根据公式和 计算α、hν和(αhν)2，用(αhν)2对光子能量hν作图（用Origin作图）。然后在吸收边处选择线性最好的几点做线形拟合，将线性区外推到横轴上的截距就是禁带