开关过程中绝缘栅双极晶体管（IGBT）的失效与器件设计.pdf

开关过程中绝缘栅双极晶体 管 （IGBT）的失效 与器件设计 北京工业大学 亢宝位 前 言 • 我国IGBT制造现状： 试制样品→ 占领市场 完成这一过程的关键是解决使用中失效问题 • 本报告目的： 引起同行对失效问题的注意，促使这一过程的缩短 • 重点： 重点是抗失效器件设计与制造；顺带提一提应用 梗 概 第一部分：开关过程中IGBT的失效原因 第二部分：开关过程中IGBT失效现象 第三部分：IGBT抗失效设计制造技术 第四部分：IGBT防失效使用注意事项 第一部分： 开关过程中IGBT的失效原因 一、过温 二、过流 三、过压 四、静态晶闸管闩锁 五、动态晶闸管闩锁 六、动态雪崩击穿 七、热电载流子倍增 四、静态晶闸管闩锁 五、动态晶闸管闩锁 导通状态下闩锁 关断过程中闩锁 G E E G N P N P N N P N P N 空穴 空穴流 电子流 耗尽层 电子 N- N- N N P P C C 六、动态雪崩击穿 七、热电载流子倍增 栅关断状态 有负载电感的强迫电流 栅开通状态 (关断过程中） (通态短路时） E G E G N P N P N N N N P P 空穴 N- 电子 空穴流 电子流 耗尽层 耗尽层 N- N N P P C