靶面放电特性对沉积粒子离化率及沉积行为的影响-金属学报.pdf

第51卷 第12 期 Vol.51 No. 12 2015 年 12 月 第1523-1530页 ACTA METALLURGICA SINICA Dec. 2015 pp. 1523-1530 靶面放电特性对沉积粒子离化率及沉积行为的影响* 1) 1,2) 1) 1) 杨 超 蒋百灵 冯 林 郝 娟 1) 西安理工大学材料科学与工程学院, 西安 710048 2) 南京工业大学材料科学与工程学院, 南京 211816 摘 要 依据气体放电等离子体物理学知识, 通过增加靶材的电流密度将靶面气体放电引入至辉光与弧光放电之间的辉弧 + 放电过渡区. 借助Ar 轰击靶面的碰撞动能和电子传输所产生的Joule 热能, 共同诱发靶面电子与原子克服表面逸出功的自 发射. 由此获得高密度、高离化和高能量的沉积粒子. 实验分别在辉光放电区和辉弧过渡区各制备2 组纯Ti 薄膜. 利用激光 共聚焦显微镜(CLSM)对不同靶基距处的薄膜厚度进行测量, 通过XRD, SEM, AFM 和TEM 对薄膜的微观结构进行观察, 并 使用涂层附着力划痕仪对薄膜的膜基结合力进行测试. 实验结果表明: 在辉弧放电过渡区内所沉积的纯Ti 薄膜具有纳米尺 度的晶粒、致密的组织、均匀的薄膜厚度、较快的沉积速率和优异的膜基结合强度. 关键词 磁控溅射离子镀, 气体放电伏安特性, 热发射, 离化率 中图法分类号 TG43 文献标识码 A 文章编号 0412-1961(2015) 12-1523-08 EFFECT OF DISCHARGE CHARACTERISTICS OF TARGET ON IONIZATION AND DEPOSITION OF DEPOSITED PARTICLES YANG Chao 1), JIANG Bailing 1,2), FENG Lin 1), HAO Juan 1) 1) School of Materials Science and Engineering, Xian University of Technology, Xian 710048 2) School of Materials Science and Engineering, Nanjing Technology University, Nanjing 211816 Correspondent: JIANG Bailing, professor, Tel: (029) E-mail: jiangbail@ Supported by National Natural Science Foundation of China (No Manuscript received 2015-04-07, in revised form 2015-06-05 ABSTRACT Magnetron sputtering ion plating (MAIP) is limited by the low density and low ionization of target atoms, which results in that the films deposited by MAIP have poor compactness, low adhesion and the quick de-