太阳能电池的效率和CCD1.pptVIP

光电转换效率η是表征太阳电池性能的最重要的参数。 阐述入射太阳辐射功率计算的依据， 再以硅pn结太阳电池为主，兼顾其它种类电池，讨论理想情况下最大理论效率的一种考虑计算方法。 考虑在非理想情况下，影响效率的诸多因素及效应。 太阳电池所利用的太阳能来源于太阳辐射。太阳中心发生的核聚变反应，连续不断地释放出巨大能量，主要以光辐射形式从太阳表面的发光层向太空辐射。 表面发光层温度约6000K，其辐射光谱与6000K绝对黑体的连续辐射光谱类似(见图)。 太阳辐射经过日-地平均距离(约1.5×108公里)，传播到地球大气层外面，其辐射能面密度已大大降低。 在这个距离上，垂直于太阳辐射方向单位面积上的辐射功率基本上是个常数，称为太阳常数。其数值是1.353kW／m2。 目前世界上许多国家把太阳常数作为计算太空用太阳电池的入射光功率密度的依据，又称AMO光谱条件。 在此条件下测试太空用太阳电池效率时，光源应满足图AMO的光谱分布，总能量为135.3mW／cm2，电池测试温度为25℃。 AMO光谱的太阳辐射经过大气层中臭氧、氧气、水汽、二氧化碳及悬浮固体微粒(烟尘、粉等)的吸收、散射和反射，到达地面时，光谱分布上出现了许多吸收谷，而且总辐射能至少衰减掉30％(如图7所示)。 上图还给出AM 1.5的光谱分布，其积分能量为83.5mW／cm2。作为地面太阳电池测试依据的AM 1.5光谱条件，其光源应满足上图中AM1.5光谱分布。 在上述理想的假设下，最大短路电流值显然仅与材料带隙Eg有关。其计算结果如图所示。 太阳电池在光电能量转换过程中，由于存在各种附加的能量损失，实际效率比上述的理论极限效率低。 下面以pn结硅太阳电池为例, 来阐述各种能量损失之机理，作为改进太阳电池的设计及工艺，提高其效率的基础。 每种材料的n和k都与入射光之波长有关。对硅来说，其关系曲线如图所示。把n、k的结果代入式中，发现在感兴趣的太阳光谱中，超过30%的光能被裸露硅表面反射掉了。 太阳光的光强在λ=0.4～0.7μm之间最强，极大值在0.48μm(AM0)和0.53μm(AM1.5)。 要提高太阳电池的能量转换效率和输出功率，就必须充分利用太阳能。这要求太阳电池的光谱响应与太阳光谱有一致的分布。 太阳电池的光谱响应指短路电流与入射光波长的函数关系。就是指某一波长下，每一个射进电池的光子，对应所能收集到的平均载流子数。 决定Voc大小的主要物理过程是半导体的复合。 半导体复合率越高，少子扩散长度越短，Voc也就越低。 5．串联电阻Rs和旁路电阻Rsh引 起效率下降 在硅太阳是池中，由硅材料体电阻、溥层电阻、电极接触电阻及电极本身传导电流的电阻构成了总串联电阻Rs。 Rs值变大会影响电池伏安特性曲线偏离理想曲线，使F．F．变小，Isc下降，因而效率也下降； 而旁路电阻Rsh变小，说明无光照射pn结反向漏电流变大，造成Voc下降，F．F．变小,因而效率下降。 ? 高效率和低成本是发展太阳电池的主要目标。 ? ? 四十多年来进行的大量基本理论和实验的研究工作，把单晶硅太阳电池效率从6%提高到24%，对聚光硅太阳电池的光电转换效率，在100个太阳聚光度下，已达到27.5%，使硅太阳电池在空间应用与地面应用上仍然占有较重的地位。 ? 在化合物半导体中，砷化镓研究得比较多，工艺较成熟。由于砷化镓的Eg值比硅大，从光谱响应角度来说，更适合于做太阳电池。工作温度也可比硅的高，在聚光高温条件下工作，具有它独特优点。 其缺点是：砷化镓材料成本高。生产高质量的砷化镓单晶也较困难，加上电池制备工艺难以控制减小表面复合速度， 光电器件----CCD CCD自问世以来，以它无比的优越性能和诱人的应用前景，引起了各国科学界的高度重视，日、美、英、德等发达国家不惜重金投资加速研制，加之微细加工技术的进展，使得CCD像素数剧增加，分辨率、灵敏度大幅度提高，发展速度惊人。 线阵CCD已由第一代大踏步跃人第二代CCPD(光电二极管阵列)。 目前国外5000像素的线阵CCD已商品化，并对4个5000像素CCD进行拼接，实现了两万像素超长线阵CCD，获得了相当大的动态范围，满足了星载、机载、空间监测等要求。 线阵彩色CCD已实现了10725像素，阵列的不均匀性小于1％。面阵CCD主要用作图像传感器，已有4096×4096像素的商品出售，信噪比达80dB，暗电流小于25pA／cm2(27℃)，输出非均匀性小于1％，像素尺寸为7．5um×7．5μm，探测信号电平为10个电子