第3章 场效应晶体管放大电路.ppt

第3章 场效应管放大电路 场效应管FET与三极管BJT的区别 3.1、结型场效应管 3.2、绝缘栅场效应管MOS 3.3 场效应管的主要参数 半导体三极管图片 3.4 场效应管放大电路 2、微变等效电路 3.4.2 共漏组态基本放大电路 3.4.3 共栅组态基本放大电路 Chap Sect 3.1、结型场效应管 3.2、绝缘栅场效应管MOS 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管放大电路 Sect 1. BJT: 是 电流控制元件； FET: 是电压控制元件。 2. BJT 参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； FET 是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，称为单级型器件。 3. BJT 输入电阻较低，一般102~104?；FET 输入电阻高，可达109~1014? 场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管MOSFET 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 Sect 3.1.1、结构与工作原理 漏极 D 集电极 C 栅极 G 基极 B 源极 S 发射极 E 导通条件： UGS ? 0 UBE ? 0 UDS ? 0 UBC ? 0 1) 在一定UDS作用下, 栅源极电压 为负, 栅源极勾道通, UGS决定 电流 iD 的大小 2) 沟道中只有一种截流子—— 单极型晶体管 1、结构 2. JFET工作原理 N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区， 当UGS=0时， 沟道较宽，在UDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID。 当UGS＜0时，PN结反偏，PN结加宽，漏源间的沟道将变窄，ID将减小， 当UGS继续向负方向增加，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。 当漏极电流为零时 所对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP。 P+ P+ N G S D UDS ID D P+ P+ N G S UDS ID UGS 预夹断 UGS=UP 夹断状态 ID=0 Sect 导电沟道 3.1.2 JFET特性曲线 UP 转移特性曲线 输出特性曲线 Sect ∣ 1. 输出特性曲线： 可变电阻区 线性放大区 ID=gm UGS 击穿区 IDSS：饱和栅极漏极电流, UGS=0 UP： 预夹断电压, iD=0 UT： 开启电压, 不通转通 2. 转移特性曲线： UT Sect 3.2.1. N沟道增强型MOS场效应管 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 称之为MOS管 类型： N沟道 增强型 P沟道 耗尽型 退出 1. 结构和工作原理 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成 一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层 电子层，形成N型导电沟道 在UDS的作用下形成ID。 UDS ID + + - - + + - - + + + + - - - - UGS 反型层 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压 不会在 D、S间形成电流ID,即ID≈0. 当UGSUT时, 沟道加厚，沟道电阻 减少，在相同UDS的作用下 ID将进一步增加 开始无导电沟道，当在UGS?UT时 才形成沟道,这种类型的管子称为 增强型MOS管 Sect ? N沟道增强型MOS工作原理 2.N沟道增强型M