电介质刻蚀设备生产效能提升儿研究-集成电路工程专业毕业论文.pdf.docxVIP

摘 要I 摘 要 IC 制 造 业 极 大 地 依 赖 于 半 导 体 设 备 的投 入 。 随 着 硅 片 尺 寸 大 直 径 化 、设 备 精 度 和 自动 化 程 度 的提 高 ，芯 片制 造 企 业 的 设 备 总 投 资 在 成 倍 的增 长 ，设 备 折 旧 负 担 也 在 急 剧 增 加 。目前 ，设 备 成 本 折 旧 与 维 修 费 用 己经 占据 了 芯 片 总 成 本 的最 大 比重 。因 此 设 备 能否 达 到 最 大 利 用 率 ，提 高 生 产 设 备 的 生 产 效 能 (U Pt ime ) 是 决 定 芯 片 成 本 的最 大 因素 。 本 文 结 合 了 3 0 0 m m 铜 互 连 电介 质 刻 蚀 工 艺 ，从 解 决 硬 件 故 障 、优 化 工 艺 参 数 等 以下 六 方 面 研 究 了提 升 刻 蚀 设 备 生 产 效 能 的 问题 。 1 . 采 用 定 期 优 化 静 电 除 电参 数 法 和 静 电 除 电终 点侦 测 技 术 ，解 决 了刻 蚀 设 备 静 电吸盘 放 电异 常现 象 ，提 高 了设 备 硬 件 稳 定 性 ，延 长 静 电吸 盘 的 使用 寿 命 超 过 8 0 % 。 2 . 采 用 氢 氮 气 还 原 辅 助 清 洗 技 术 ，解 决 了铜 互 连 氮 化 硅 扩 散 阻 挡 层 刻 蚀 速 率 不 稳 定 问题 。研 究 结 果 表 明刻 蚀 机 制 程 绩 效 管 理 (C p K) 的指 标 得 到 很 大 提 高 。 3 . 对 比 刻 蚀 反 应 室 三 氧 化 二 忆 镀 层 (丫2 0 3) 和 阳 极 膜 镀 层 的 不 同涂 层 材 料 ，研 究 了刻 蚀 反 应 室 内部 的颗 粒 污 染 问题 ，结 果 表 明采 用 三 氧 化 二 钻 可 以 明显 减 少 反 应 室 的 颗 粒 污 染 。 4 . 应 用 先 进 自动 制 程 控 制 (A PC) 技 术 ，实 现 了对 刻 蚀 沟 槽 宽度 和 深 度 等 关 键 尺 寸 的 严 格 控 制 ，提 高 了 反 应 室 工 艺 的 一 致 性 ，达 到 了提 高 设 备 效 能 的 目的 。 5 . 通 过 优 化 刻 蚀 设 备 的 保 养 计 划 ，延 长 反 应 室 保 养 周 期 (M 丁B C ) ， 并 减 少 预 防 保 养 的 时 间和 提 高清 扫 保 养 的成 功 率 ，提 高 了刻 蚀 设 备 的 生 产 效 能 。 6 . 应 用 系 统 法 管 理 设 备 参 数 的 稳 定 性 ，采 用 设 备 参 数 管 理 系 统 (IE M S) 和 故 障 侦 测 系 统 (「O C )，提 高 了设 备 故 障 的 侦 测 能 力 ，也 为 解 决 设 备 故 障 提 供 了方 向 和 数 据 支 持 。 本 文 研 究 结 果 表 明 采 用 以上 技 术 降 低 了 设 备 维 护 费 用 ， 延 长 了 设 备 保 养 周 期 ，提 升 了 铜 互 连 电介 质 刻 蚀 设 备 的 生 产 效 能 ，同 时 研 究 结 果 还 改 善 了刻 蚀 工 艺 稳 定 性 ，减 少 了 刻 蚀 过 程 中 的 颗 粒 污 染 ， 提 高 了 生 产 成 品 率 。 关 键 词 : 生 产 效 能 、 制 程 绩 效 、静 电吸 盘 、 电介 质 刻 蚀 、 先 进 制 程 控 制 中 图 分 类 号 : TN 4 / A b A b s tr a e t A S e o n tin u o u s g ro w in g o f IC jn d u s try a n d s C a lin g d o w n o f fe a tu re S iz e s ， th e a d v a n e e e q u iP m e n t w a s re le a s e d to P ro d u ctio n w ith h ig h e x P e n s e . E v e ry IC m a n u fa ct u re r s P e n d s m o re a n d m o re fu n d s o n th e n e w e q u iP m e n t P u ll in a n d lin e ea P a e ify e Xte n d .A n d th e d e P re e ia tio n o f 行X e d a sse ts (E q u iP m e nt) a nd h ig h e q u iP