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2019-08-10 发布于广东
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CMOS双阱工艺技术.ppt

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CMOS工艺集成电路 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 1。光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔 N-Si N-Si SiO2 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 2。阱区注入及推进，形成阱区 N-Si P- CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 3。去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 N-Si P- Si3N4 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 4。光II---有源区光刻 N-Si P- Si3N4 CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 5。光III---N管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。光刻胶 N-Si P- B+ CMOS工艺技术 CSMC-HJ Wafer Fabrication Process Technology CMOS CMOS Starting with a silicon wafer Cross Section of the Silicon Wafer Magnifying the Cross Section CMOS n/p-well Formation Grow Thin Oxide Deposit Nitride Deposit Resist silicon substrate UV Exposure Develop Resist Etch Nitride n-well Implant Remove Resist CMOS n/p-well Formation silicon substrate Grow Oxide (n-well) Remove Nitride p-well Implant Remove Oxide Twin-well Drive-in p-well n-well Remove Drive-In Oxide silicon substrate p-well n-well CMOS LOCOS Isolation Grow Thin Oxide Deposit Nitride Deposit Resist UV Exposure Develop Resist Etch Nitride Remove Resist CMOS LOCOS Isolation silicon substrate p-well n-well Deposit Resist UV Exposure Develop Resist Field Implant B Remove Resist Grow Field Oxide Fox Remove Nitride Remove Oxide silicon substrate p-well n-well Grow Screen Oxide CMOS Transistor Fabrication Vt Implant Deposit Resist UV Exposure Develop Resist Punchthrough Implant Remove Resist Remove Oxide Fox silicon substrate p-well n-well Grow Gate Oxide CMOS Transistor Fabrication Deposit PolySi PolySi Implant polySi polySi Deposit Resist UV Exposure Develop Resist Etch PolySi Remove Resist Fox silicon substrate p-well n-well CMOS Transistor Fabrication Deposit Thin Oxide Deposit Resist UV Exposure Develop Resist n-LDD Implant Remove Resist Fox polySi polySi silicon substrate p-well n-well CMOS Transistor Fabrication Deposit Resist UV Exposure Develop Resist p-LDD Implant Remove Resist Deposit Spacer Oxide Etch Spacer Oxide Fox polySi polySi silicon substrate p-well n-well CMOS Transistor Fabrication Deposit Resist UV Exposure Develop Resist n+ S/D Implant n+ n+ Remove Resist Fox polySi