微机原理及接口技术 第三版 高职计算机应用技术专业 雷印胜秦然第3章 微型计算机系统结构.pptVIP

第3章存储器技术及其应用 引论 存储器技术在接口应用中占有十分重要的位置，是计算机系统组成和系统设计不可或缺的部分。 本章学习目标 了解存储器的基本概念、发展历程、分类方法、主要性能指标和新技术发展动态。 理解不同介质形成存储单元的物理结构、工作原理、存取方法及存储体的组成实现。 熟悉虚拟存储器的基本概念，虚拟地址和实地址的对应关系及具体寻址和操作方法。 掌握存储元件、存储单元与存储单元位数的定义以及它们之间的相互对应关系。 掌握SRAM、DRAM、ROM及快存在微机系统中的工作原理，DRAM的刷新过程。主存储器、快存与CPU之间的相互依赖关系。 熟练掌握计算机主存储器的位扩展、字扩展及字位扩展的原理和方法，主存储器与CPU的硬件连接以及地址、数据和控制信号线的正确选取。 理解快存在提高计算机CPU性能所发挥的作用以及对快存进行管理的几种常用方法。 内容提要 3.1???存储器概述 3.2???随机读写存储器RAM 3.3???只读存储器ROM 3.4 主存储器与CPU的连接 3.5 光盘存储设备 3.1 存储器概述 存储元件能：存储一位二进制代码（0，1）的物理器件，称为存储元件。 存储单元与单元地址：用若干存储元件可组成一个存储单元；每个地址编号只能标志惟一的一个存储单元，该编号即是单元的地址。 按址存取原则：中央处理器CPU必须按照单元地址存取原则来存储单元中的指令或数据。 字、字节编址：按字节单元进行编址的存储器称为字节编址方式存储器，按字单元为单位进行编址的存储器称为字编址方式存储器。 读、写操作：读出操作是从给定地址的存储单元中取出其中存放的信息，读出后原单元内容不变。写入操作则是将信息存入给定地址编号所对应的存储单元中，该单元内容被新信息取代。 1. 按工作时与中央处理器联系的密切程度分类: 存储器可分为主存、辅存。 2. 按存储元件的介质材料分类 （1）半导体存储器 （2）磁表面存储器 （3）光盘存储器 （4）其他存储器 3. 按工作方式分类 （1）随机存储器RAM （2）只读存储器ROM （3）顺序存取存储器SAM （4）直接存取存储器DAM 1. 存储容量 存储容量通常用其可存储二进制位信息量描述，也就是存储单元数与存储单元位数的乘积，即容量=存储单元数×存储单元位数。 2. 存取速度 存储器的存取时间定义为存储器从接收到存储单元地址码启动工作开始，到它取出或存入数据为止所需的时间。通常手册上给出这个参数的上限值，称为最大存取时间，显然，最大存取时间愈短，计算机的工作速度就愈高。 3. 可靠性 可靠性是指存储器对电磁场、温度等外界变化因素的抗干扰性。 4. 性能价格比 目前采用较多的是三级存储器结构，即高速缓冲存储器、主存储器和辅存。中央处理器CPU能直接访问的存储器称为内存，它主要包括高速缓存和主存。而CPU不能直接访问辅存，辅存中信息必须先调入主存才能由CPU进行处理，见下图。 1. 静态存储器SRAM 静态存储器依靠双稳态触发保存信息。每个双稳态电路可存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。 双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作。只要电源正常，就能长期保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。 2. 动态存储器 动态存储器依靠电容上的存储电荷暂存信息。通过MOS管（称为控制管）向电容充电或放电，充有电荷的状态为1，放电后的状态为0。虽然力求电容上电荷的泄漏很小，但工艺上仍无法完全避免泄漏，时间一长电荷会漏掉，因而需要定时刷新内容，即对存1的电容补充电荷。由于需要动态刷新，所以称为动态存储器。 SRAM半导体存储器的优点是存取速度快，存储体积小，可靠性高，价格低廉；缺点是断电后存储器不能保存信息。 1. SRAM的内部结构 在SRAM半导体存储器的电路芯片中，至少应包含存储体、读写电路、地址译码电路和控制电路等组成部分，其框图示于下图中。 2. SRAM芯片实例 DRAM存储器芯片的结构及工作原理与SRAM基本上是一致的，只是DRAM中每个存储元件是由1或4个MOS晶体管组成，存放信息不稳定，需要进行动态刷新，所以在DRAM芯片中需要增加刷新电路。但是，DRAM存储器每位造价较低，集成度高，易于大批量制造，所以，目前计算机系统的主存主要采用DRAM芯片。DRAM芯片内部一般采用二维译码方式。下图给出了Intel 4164动态存储器芯片的引脚排列和内部框图。 只读存储器ROM是在CPU运行期间只能进行读出操作，而不