LED制造工艺流程.ppt

去边 （3）去边腐蚀 去边 （4）去Pt (P型接触层) 去边 （5）去SiO2 剥离？LLO N面工艺 表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小 钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2 N电极蒸发Al/Ti/Au 电极光刻 钝化 （1）SiN生长 钝化 （2）SiN光刻 N电极蒸发（Al） N电极光刻（Al） 芯片点测 LED制造工艺流程 工艺过程 例如GaAs、Al2O3 、Si、 SiC等 制造衬底 封状成 成品 制造 芯片 40000个 制造发光二极管外延片 例如MOCVD 一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片 硅(Si) 氮化镓(GaN) 50毫米 200微米=0.2毫米 上游产业： 材料的外延与生长 中游产业： 芯片制造 下游产业： 器件封装与应用 技术路线 衬底制备 外延材料生长 外延片检测 N面工艺 薄膜转移 P面工艺 芯片点测 划片 芯片分选 衬底制备 直拉法 主要包括以下几个过程： 加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长 切片 磨片 抛光 清洗:2h 光刻: 刻蚀:1h一炉(8片) 光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶 涂粘结剂，正胶并前烘 曝光 曝光后 显影并坚膜 腐蚀 去胶 等离子去胶机 正胶 :腐蚀，去除被照的部分 负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘 刻蚀RIE和 ICP 以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2O RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀 ICP (Induced Coupled Plasma)电感耦合等离子体 外延材料生长 MOCVD 记编号 放片子 反应原理、反应方程式 NH 3 TMG 氨气NH 3 氢气H 2 三甲基镓源 TMG 反应管 衬底 石墨支撑盘 Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v) 外延层结构 外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子　　 　阱发光层、P型导电层 氮化铝(AlN)缓冲层 氮化镓(GaN)缓冲层 5×InGaN/GaN多量子阱 Si(111)衬底 N型导电GaN掺Si层 P型导电GaN掺Mg层 430um 3~4um 2nm=0.002um 8nm=0.008um 200nm Silicon Substrate 外延片检测 PL机 半峰宽 主波长 台阶仪 清洗，去除有机物等BOE 外延片 P面工艺 反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt保护Cr， CrPt互补 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度 蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5min Ni/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃 合金 P面电极图形 P型接触层蒸发合金 粘结层蒸发 粘结层光刻 薄膜转移 bonding 双面镀金基板 压力/温度 石墨 外延片与基板 压头 灌蜡 堵住沟槽，保护Ag 金锡邦定 金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用H2SO4泡（Ag不允许） 去Si衬底 522( HNO3:HF:冰乙酸) N型层 去沟槽，去蜡 丙酮超声 去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长 去边 （2）SiO2掩膜光刻