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第二十一讲 固体电介质的击穿.pptx 13页

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  • 上传作者 叶落无声(上传创作收益人)
  • 发布时间:2019-07-12
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第二十二讲 固体电介质的击穿;1 概述;2 电击穿; 碰撞电离理论:晶体温度高于绝对零度,晶格的微小振动形成格波,格波能量量子称为声子。碰撞电离中,存在电子和声子碰撞,杂质和缺陷对自由电子的散射。若外加电场足够高,自由电子在电场中获得的能量超过失去的能量时,自由电子便可在每次碰撞后积累起能量,最后发生击穿。 雪崩理论:在电场足够时,自由电子从电场中获得的能量在每次碰撞后都能产生一个自由电子,n次碰撞就有 个2n自由电子,形成雪崩式倍增效应。这些电子一方面向阳极迁移,一方面扩散。当雪崩式倍增效应贯穿两电极时,则发生击穿。(本征击穿强度很高,超过 100MV/m,但由于外界因素、实验条件、试样状况,实际材料的击穿强度偏低)。 隧道理论:当电场足够高时,由于隧道效应,使禁带电子进入导带,在电场作用下电子被加速,引起碰撞电离。这种雪崩过程不会导致经历的破坏,晶体击穿的原因在于隧道电流导致晶体局部温度过高,致使晶体局部熔融而破坏。这个机理也称为齐纳击穿。 ? ;2)一些因素对固体电介质击穿场强的影响;总的来说: ①.固体电介质的击穿场强取决于材料的均匀性。 ②.大部分材料在交变电场下的击穿场强低于直流下的击穿场强。高频下, 由于局部放电使得击穿场强下降更厉害,并且材料的介电常数越大,击穿 场强下降越多。 ③.无机电介质在高频下的击穿往往具有热的特征(热击穿),发生纯粹电 击穿的情况很少。 ④.在室温附近,高分子电介质击穿场强往往比陶瓷材料大,并且极性高聚物的击穿场强常常比非极性的大。 ⑤.热塑性高聚物在软化温度附近击穿电场随温度急剧下降。 ? ;3 热击穿;W;由上图可见: 1)当U1较小时,,发热曲线和散热曲线相交于A,介质处于热平衡,电压可持续作用,温度不再升高。 2)若U3较高,这时发热功率恒大于散热功率,介质在任何温度下都不会达到热平衡,温度持续升高,最终热击穿。 3)在一定电压U2时,W1和W2相切于C点,相应于C点介质的Tm。当T>Tm,发热功率大雨时那热功率,温度将继续上升到Tm;当T>Tm,温度不断上升,最终导致热击穿。发热曲线W1(U2)即为介质热稳定与不稳定的临界曲线,U2为热击穿电压。 C点满足条件(热击穿判据):;4 局部放电击穿;5 其它击穿机制;2 )电机械击穿 平板固体电容器加电压后,极板间充上异性电荷,极间电场为E,两极上异性电荷的相互作用,造成两极间存在相互吸引力,这个引力使极间介质受到挤压而发生变形,由于高聚物介质弹性模量很小(比陶瓷等小两个数量级),挤压作用会使介质厚度明显减薄,电压不变,场强增大。如果温度升高,材料杨氏模量减小,试样厚度进一步减小,这就使得在电压不变的情况下,电场进一步升高,最终导致击穿。 ;谢谢!

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