第二十一讲 固体电介质的击穿.pptxVIP

第二十二讲 固体电介质的击穿;1 概述;2 电击穿; 碰撞电离理论：晶体温度高于绝对零度，晶格的微小振动形成格波，格波能量量子称为声子。碰撞电离中，存在电子和声子碰撞，杂质和缺陷对自由电子的散射。若外加电场足够高，自由电子在电场中获得的能量超过失去的能量时，自由电子便可在每次碰撞后积累起能量，最后发生击穿。 雪崩理论：在电场足够时，自由电子从电场中获得的能量在每次碰撞后都能产生一个自由电子，n次碰撞就有 个2n自由电子，形成雪崩式倍增效应。这些电子一方面向阳极迁移，一方面扩散。当雪崩式倍增效应贯穿两电极时，则发生击穿。（本征击穿强度很高，超过 100MV/m，但由于外界因素、实验条件、试样状况，实际材料的击穿强度偏低）。 隧道理论：当电场足够高时，由于隧道效应，使禁带电子进入导带，在电场作用下电子被加速，引起碰撞电离。这种雪崩过程不会导致经历的破坏，晶体击穿的原因在于隧道电流导致晶体局部温度过高，致使晶体局部熔融而破坏。这个机理也称为齐纳击穿。 ? ;2）一些因素对固体电介质击穿场强的影响;总的来说： ①.固体电介质的击穿场强取决于材料的均匀性。 ②.大部分材料在交变电场下的击穿场强低于直流下的击穿场强。高频下， 由于局部放电使得击穿场强下降更厉害，并且材料的介电常数越大，击穿 场强下降越多。 ③.无机电介质在高频下的击穿往往具有热的特征（热击穿），发生纯粹电 击穿的情况很少。 ④.在室温附近，高分子电介质击穿场强往往比陶瓷材料大，并且极性高聚物的击穿场强常常比非极性的大。 ⑤.热塑性高聚物在软化温度附近击穿电场随温度急剧下降。 ? ;3 热击穿;W;由上图可见： 1）当U1较小时，，发热曲线和散热曲线相交于A，介质处于热平衡，电压可持续作用，温度不再升高。 2）若U3较高，这时发热功率恒大于散热功率，介质在任何温度下都不会达到热平衡，温度持续升高，最终热击穿。 3）在一定电压U2时，W1和W2相切于C点，相应于C点介质的Tm。当T>Tm，发热功率大雨时那热功率，温度将继续上升到Tm；当T>Tm，温度不断上升，最终导致热击穿。发热曲线W1(U2)即为介质热稳定与不稳定的临界曲线，U2为热击穿电压。 C点满足条件（热击穿判据）：;4 局部放电击穿;5 其它击穿机制;2 ）电机械击穿 平板固体电容器加电压后，极板间充上异性电荷，极间电场为E，两极上异性电荷的相互作用，造成两极间存在相互吸引力，这个引力使极间介质受到挤压而发生变形，由于高聚物介质弹性模量很小（比陶瓷等小两个数量级），挤压作用会使介质厚度明显减薄，电压不变，场强增大。如果温度升高，材料杨氏模量减小，试样厚度进一步减小，这就使得在电压不变的情况下，电场进一步升高，最终导致击穿。 ;谢谢！