铁磁性材料的自发磁化理论和磁畴结构.ppt

铁磁性材料的自发磁化理论及磁畴结构 2014年4月25日 汇报内容 ●物理学基础 ●自发磁化理论 ●磁畴结构 1.物理学基础 1.1基本磁学量 磁矩μm 磁化强度M 磁场强度H 磁感应强度B 磁化率χ 磁导率μ 退磁场Hd 微观量，矢量，μm=iS，磁偶极子磁性的强弱和方向。 宏观量，矢量，M=Σμm/ΔV。 描述空间内任意一点的磁场参量。 与介质有关，B=μ0（H+M） χ=M/H，表征材料磁化难易程度。 μ=（1+χ）=B/μ0M，表征材料导通磁力线的能力。 表征材料反抗外磁场的能力；Heff=Hex-Hd； Hd=﹣NM，大小与磁体形状和磁极强度有关； 退磁能：Fd=1/2μ0NM^2，是磁体体现磁畴的主要原因。 1.物理学基础 1.2物质磁性分类及特征 根据磁化率χ=M/H的大小和符号，分为五种： 抗磁性 顺磁性 反铁磁性 铁磁性 亚铁磁性 （无磁矩） （有磁矩） 弱磁性 强磁性 Tn Tc χ<0 χ>0 χ>0 χ》1 χ》1 1.物理学基础 1.3磁性起源 物质的磁性来源于原子的磁性； 原子的磁性来源于原子中电子及原子核的磁矩； 原子核磁矩很小，在我们所考虑的问题中可以忽略。 因此，研究原子中电子的分布规律及其对原子磁矩的影响是至关重要的。 1.物理学基础 1.3磁性起源 核外电子结构用4个量子数表征： ●主量子数n 决定电子轨道大小，n=1,2,3…… ●角量子数l 决定电子轨道形状，l=0,1,2……，n-1 ●磁量子数ml 决定电子轨道方向，ml=0,±1,±2……，±l ●自旋磁量子数ms 决定电子自旋方向，ms=±1/2 电子分布原则： 能量最低原理 泡利原理 1.物理学基础 1.3磁性起源 ●方法：玻尔原子轨道模型+量子力学理论 电子的轨道角动量 和轨道磁矩 电子自旋角动量 和自旋磁矩 只考虑 未填满壳层 磁性电子壳层 （μ=﹣λP） 原子的总角动量 和总磁矩 1.物理学基础 1.3磁性起源 ●原子的总角动量和总磁矩： 是电子的轨道角动量（磁矩）和自旋角动量（磁矩）以矢量叠加方式合成的。 μl μs μJ ? L-S耦合 Z<=32 Z>=82 j-j耦合 PL=Σpli PS=Σpsi PJ=PL+PS pj=pl+ps PJ=Σpj 铁磁物质大多采用此种方式！ 2.自发磁化理论 2.1 自发磁化的唯象理论 ●外斯：铁磁性分子场理论 分子场假设 磁畴假设 在有净磁矩的同时，铁磁性物质的原子磁矩还受到物质内部的“分子场”的作用，它导致了自发磁化，即在无外加磁场时，仍然呈现出微观磁矩的有序排列。 （ω：分子场系数） T>Tc时，铁磁性转变为顺磁性，热骚动能破坏了分子场对原子磁矩有序取向的作用。 “分子场”=磁场 ？ × 量子力学 静电作用 （“分子场”来源于相邻原子中电子间的交换作用） 2.自发磁化理论 2.2自发磁化的交换作用理论 ●海森堡铁磁理论 分子场是量子力学交换作用的结果，铁磁性自发磁化起源于电子间的静电交换相互作用。 交换作用原理 （以H2中两个电子的 相互作用来说明交换作用的原理） 磁性晶体单位体积中有N个原子 2.自发磁化理论 2.2自发磁化的交换作用理论 铁磁性条件： 1.必要条件：原子具有固有磁矩（有磁性壳层） 2.充分条件：A>0（A>0，自旋平行为基态） rij：电子i与j间的距离； ri(rj)：i(j)电子与自己核间的距离。 ∴ A=f(rij、 ri、 rj），且A与波函数性质有关。 A～（a/r0）关系曲线： 原子间距大（ μ＝a/r0),电子云重叠少或无重叠，则交换作用弱或无。 原子间距太小，会导致A<0，自旋反平行。 1J85成分 3.磁畴结构 3.1磁畴的基本概念 磁畴简图 畴壁：相邻磁畴之间的过渡层。厚度约等于几百个原子间距。 不同的晶体类型，有不同的易磁化方向，进而对应不同的畴壁类型。 畴壁内的原子磁矩如何排列？ 畴壁表面和内部都不出现磁荷 磁壁内的每一原子磁矩，在磁壁法线方向上的分量都必须相等 布洛赫壁 3.磁畴结构 3.2磁畴的分类 磁畴的基本形式： a.磁通开放式——片型畴； b.磁通封闭式——封闭畴； c.旋转结构（封闭式）。 3.磁畴结构 3.3从能量观点说明材料分畴的原因 能量：静磁能+磁晶各向异性能+磁弹性能+交换能 若不分畴，整块材料只有一个磁畴，其端面将出现磁荷，因而存在着 退磁场能Ed（Ed=μ0NM^2/2）。 例如对一个单轴各向异性的钴单晶。( a )图是整个晶体均匀磁化，退磁场能最大。从能量的观点出发，分为两个或四个平行反向的自发磁化的区域( b )、( C )可以大大减少退磁能。如果分为n个区域(即n个磁畴)，能量约可减少1/n，但是两个相邻