半导体材料绪论-精品文档.pptVIP

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半导体材料;参考书目与教材:;考核方式;课程内容;学习目的和要求 ;绪论的主要内容; 2.负电阻温度系数 Si:T=300K ρ=2 x 105 Ωcm T=320K ρ=2 x 104Ωcm 3.具有整流效应; ; 1839年,法国科学家贝克雷尔(Becqurel)就发现,光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为“光生伏打效应”,简称“光伏效应”。 ;光照对半导体的影响 硫化镉(CdS)半导体薄膜,无光照时的暗电阻为几十MΩ,光照时阻值下降为几十KΩ;二、半导体材料的分类;二、半导体材料的分类; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发,也称热激发。;2. 杂质半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。;三、半导体材料的主要应用;微电子器件;第一个微处理器(1971);光电子器件;光纤材料;光纤材料:;四、半导体材料的地位、历史和发展趋势;国民经济;半导体材料??地位; 半导体科学发展史 1.第一阶段:经验科学(1833~1931年) 1833年发现ZnS 电阻变化负温度系数 1873年发现Se内光电效应 1874年发现PbS整流效应 1904年点接触二极管检波器用于高频电磁波接收;2.第二阶段:30年代~40年代末:理论科学;3.第三阶段:1947~1958:技术科学、应用科学 1947年J. Bardeen, W. Brattain, W. Shockley(Bell Lab.) 发明晶体管(点接触Ge晶体管);半导体材料发展史;半导体材料发展史;半导体材料发展史;First IC Device (1958);6. 1958以后:高技术 IC发展,SSI→MSI→LSI→VLSI →ULSI→半导体微电子学半导体激光器的发明→半导体光电子学 7. 1958 以后的几个里程碑 1958年L. Esaki研制出隧道二极管 1962-63年 N. G. Basov研制出半导体激光器 1969-70年 L. Esaki R. Tsu提出半导体超晶格 1963年 H.KroemerZ. Alferov提出异质结激光器 1982 K. Von Klitzing量子霍尔效应 1993 S. Nakamura GaN 高亮度GaN蓝光发光二极管 199?D. C. Tsui分数化量子霍尔效应;微电子技术发展的规律及趋势;尺寸不断减小;From Intel’s publication;半导体材料的发展现状与趋势;硅材料 GaAs和InP单晶材料 半导体超晶格、量子阱材料 Ⅲ-V族超晶格、量子阱材料 硅基应变异质结构材料 一维量子线、零维量子点半导体微结构材料 宽带隙半导体材料 光子晶体;(1) 硅(Si);(2) Ⅲ-Ⅴ族化合物;(3)以氮化镓材料P型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的半导体材料。 它将在光显示、光存储、光照明等领域有广阔的应用前景。 在未来10年里,氮化镓材料将成为市场增幅最快的半导体材料。;(4)半导体超晶格、量子阱材料 ;(5)一维量子线、零维量子点;五、纳米科技和纳米材料; 各种ZnO纳米结构 ;ZnO的应用;The morphology of TiO2;; 二氧化钛的应用; Any quentions? Thank you !

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