PL-分选参数解释.pptxVIP

PLI分选参数解释;图1 ;Recipe 中的阈值设置（图2）;EdgeDefect详解（图3）;DefectAverage详解（图4）;DefectArea详解（图5）;多晶主要参数: DefectArea/DarkEdgeArea/GrainDefectArea/ AverageLifetime/Efficiency/ 单晶主要参数: ChamferMean/Ringlikelihood/AverageLifetime;AverageLifetime: 硅片整面的平均少子寿命，单位us SigmaLifetime：硅片整面的少子寿命Standard Deviation，单位us 多晶专用参数 Efficiency: 预测的电池效率。在调用了总部提供的加密了的Classifier的情况下，此值的值更具有参考性，如果没有选用相关的Classifier，此值的计算=MaximumEfficiency×RelativeEfficiency%，采用的是内建的算法，针对性会差一些 Conversion Factor: 不清楚功能和算法，总部说在计算Efficiency的时候也没有用到该值 DarkAreaPercent: 整片硅片区域中，少子寿命低于（DarkLimit）us的区域的面积之和（%）。 DarkEdgeAreaPercent 和 EdgeDefectCornerDefect: 首先在靠近硅片每条边的硅片1/4区域中寻找少子寿命小于（AverageLifetime-DarkEdgeLimit）us的区域。加入该1/4区域中少子寿命小于（AverageLifetime-DarkEdgeLimit）us的区域超过了DarkEdgeAreaMax_Percent%，则把这些区域标记出来，计算这些区域占总硅片面积的百分比，就是DarkEdgeAreaPercent%，同时EdgeDefect被置为1，当有两个或以上这种1/4区域被判断为EdgeDefect时，CornerDefect被置为1. （见图3） ;DefectAverage: 表征硅片缺陷程度的一个量，详见图4 DefectAreaPercent: （图1中紫红色区域）表征硅片缺陷数目的一个量，限定它的阈值是DefectAreaLimit，详见图5 GrainDefectAreaPercent: （图1中绿色区域）计算方法同DefectAreaPercent，也是受限于DefectAreaLimit，但在图像中，聚集得较为密集的被判定为DefectAreaPercent，较为疏散的是GrainDefectAreaPercent。 单晶专用参数 ChamferMean:单晶通常都有圆弧形的倒角，此值为4个倒角区域的平均少子寿命值，单位us RingLikelihood: 单晶中环状（圆形）缺陷的严重程度，用来表征黑心片的一个值，越大越严重，无单位。——但是之前我们已经用实验证明了，如果硅片不经过850摄氏度高温退火，那么测得的黑环、黑心都是毫无意义的，而客户处基本上不会去做这样的操作，所以这个值现在也没啥实际的应用了。 ;电池片专用参数 BadFingerCount：电池片断栅数 现在已经基本不使用的参数 BrokenWafer：0或者1，表示False或者True LargestBrokenAreaPercent: 图像分析后得到的硅片缺失的面积%。当达到一定阈值是，BrokenWafer会被置于1.