《模拟电子技术基础》第1讲 绪论.ppt

教 学 目 标 掌握模拟电子电路的基本工作原理、基本分析方法和基本应用技能， 能够分析、设计出由各种集成电路或分立元件构成的基本电路 初步具备根据实际要求，应用这些单元电路构成简单模拟电子系统的能力，为今后专业课程的学习奠定扎实的基础。 考 核 要 求 课程学习要求 课堂要求 按时上下课。 认真听讲、不允许影响他人学习。 有问题举手示意。 作业要求 须以正确的格式提交作业 作业提交截止日期一经发布，不许更改 实验要求 保持安静、准时出席、保持实验室卫生和秩序 课后要求 做好复习和预习 学习参考资料 第 0 章 绪 论 一、电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 : 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 1. 信号：是反映消息的物理量 二、模拟信号与模拟电路 二、模拟信号与模拟电路 二、模拟信号与模拟电路 三、“模拟电子技术基础”课程的特点 三、“模拟电子技术基础”课程的特点 四、如何学习这门课程 五、课程的目的 1. 掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 六、考查方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 1.1 半导体基础知识 四、PN结的电容效应 1.2 半导体二极管 2. 发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成,当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。 §1.3 晶体三级管 一、晶体管的结构和类型 NPN型 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 b e c 发射极箭头的方向 为电流的方向 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ b P N P 集电极 基极 发射极 c e PNP型 二、 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。 共射放大电路 1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC IB IC IE 晶体管内部载流子的运动 晶体管的电流分配关系 IB IC IE 共射直流电流放大系数 晶体管的电流分配关系 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 通常认为： 一、PN结的形成 在交界面，由于两种载流子的浓度差，出 现扩散运动。 一、PN结的形成 在交界面，由于扩散运动,经过复合,出现空 间电荷区 空间电荷区 耗尽层 一、PN结的形成 当扩散电流等于漂移电流时，达到动态 平衡，形成PN结。 PN结 1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; 2.内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; 3.当扩散电流等于漂移电流时，达到动态 平衡，形成PN结。 二、PN结的单向导电性 1. PN结外加正向电压时处于导通状态 加正向电压是指P端加正电压，N端加负电压，也称正向接法或正向偏置。 内电场 外电场 外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变 窄，形成较大的扩散电流。 2. PN结外加反向电压时处于截止状态 外电场和内电场的共同作用，使耗尽层变 宽，形成很小的漂移电流。 三、PN结的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿 PN结的电流方程为 其中， IS 为反向饱和电流， UT≈26mV， 1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 1.2 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极（A） ，由N区引出的电极为阴极（ K ）。 二极管的符号： P N 阳极 阴极 一、伏安特性 U I 导通电压: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR 开启电压 硅管0.5V,锗管0