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习题课
习题课 1
作业答案 2
作业 1 2
作业 2 8
作业 3 18
作业 4 23
作业 5 26
作业 6 33
作业 7 37
作业 8 40
作业 9 42
作业 10 46
实验说明 48
实验 1 48
实验 2 60
实验 3 78
实验 4 81
Hspice 的使用 83
作业答案
作业1
1、 已知：
ε 1p F /cm ，ε 0.34p F / cm ，L 0.35μm ，t L / 50 ，μ 600cm2 /Vs ，
S ox min ox min n
i
μ 250cm2 / Vs ， n 1.2 ， V 0.5V ， V 0.7V ， W / L 10μm/1μm ，
p THn THp
7
V 4V / μmL ，vsat 10 cm / sec
E
求：
（1） 计算tox ，Cox ，tD ，KPnmos ，KPpmos ，并说明以上各参数的中文含义
（2 ） 若NMOS 的各极电压分别是 V ＝2V ，V ＝V ＝0V，那么 V 等于多大时
G S B D
MOS 管处于饱和区和线性区的分界？
（3 ） 当 V 分别等于 1V 和 3V，求沟道电流I ，输出电阻r ，跨导g 的大小
D D o m
（4 ） 忽略沟道长度调制效应，W/L=0.35um/0.35um 时，求弱反型区和饱和区的
分界点电压，电流，跨导
（5 ） 忽略沟道长度调制效应，W/L=0.35um/0.35um 时，求饱和区和速度饱和区
的分界点电压，电流，跨导
解：
1）计算参数：可以如下近似
（
2
（2 ）线性区和饱和区的分界点：
V V =−V 2 =−0.5 1.5V
DS GS TH
（3 ）VD ＝1V 时MOS 管工作在线性区，VD ＝3V 时MOS 管工作在饱和区
（4 ）弱反型区和饱和区的分界点电压，电流，跨导
kT
弱反型区－饱和区：V −V 2 n 62 mV
GS TH
q
（5 ）饱和区和速度饱和区的分界点电压，电流，跨导
7 −2
v −6 10 ×10
饱和区－速度饱和区：V −V 2 nL sat 2 ×1.2 ×0.35×10 × 1.4V
GS TH −4
μn
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