合工大材料科学基础期末复习试题.docVIP

. . . 第一章 名词解释：离子键、金属键、共价键、范德瓦耳斯键离子键：通过两个或多个原子得到或失去电子 而成为离子形成的键称为离子键 金属键：金属中的自由电子与金属正离子相互作用 所构成的键称为金属键 共价键：由两个或多个电负性相差不大的原子间 通过共用电子对而形成的键称为共价键 范德瓦耳斯键：分子中由于共价电子的非对称分布，使分子的某一部分比其他部分更偏于带正电或带负电。一个分子的带正电部分会吸引另一个分子的带负电部分，这种结合力称为分子键或范德瓦耳力。2、下列物质含有何种键：黄铜（brass）、橡胶、 金刚石（diamond）、SiO2、单晶Si、NaCl、NH3 黄铜：金属键，橡胶： ； 金刚石：共价键SiO2：共价键；单晶Si：共价键； NaCl：离子键；NH3：氢键第二章 立方晶系中晶面和晶向指数的标定:important !(hkl) [uvw] 晶面族和晶向族: {hkl} uvw 立方晶系中晶面间距d与点阵常数a的关系 在立方晶系中画出(123)， (200)， (112)， (102)晶面 在立方晶系中画出[111]， [234]， [110]， [102]晶向 第三章1、解释以下基本概念 肖脱基空位、弗仑克尔空位、刃型位错、螺型位错、柏氏矢量、位错密度、位错的滑移及攀移、弗兰克-瑞德源、位错反应、扩展位错、表面能、界面能、重合位置点阵、对称倾侧晶界、非共格晶界。 肖脱基空位：脱离平衡位置的原子迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，而使晶体内部留下空位，称为肖脱基空位。弗仑克尔空位：脱离平衡位置的原子挤入点阵的间隙位置，而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子，称为弗仑克尔空位。 刃型位错：在一个完整晶体的上半部插入一多余的半原子面，它终止于晶体的内部，好像一把刀 刃插入晶体中，使上下两部分晶体之间产生了原子错排，称为刃型位错。螺型位错：位错线附近的原子按螺旋形排列的位错柏氏矢量：采用伯氏回路来定义位错，借助一个规定的矢量揭示位错的本质，这个矢量即为伯氏矢量。位错的滑移：在外加切应力的作用下，通过位错中心附近的原子沿伯氏矢量方向在滑移面上不断地 作少量的位移位错的攀移：位错在垂直于滑移面的方向上的运动 弗兰克-瑞德位错源：两个结点被钉扎的位错线段在外力的作用下不断弯曲弓出后，互相邻近的位错线抵消后产生新位错，原被钉扎错位线段恢复到原状，不断重复产生新位错的，这个不断产生新位错、被钉扎的位错线即为弗兰克-瑞德位错源。位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度位错反应：位错之间的相互转化（分解或合并）称为位错反应扩展位错：一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错。表面能：晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能 γ = dW/ds 界面能：晶界上原子畸变引起的系统自由能的升高，它等于界面区单位面积的能量减去无界面时该区单位面积的能量，单位：J/m2 重合位置点阵：当两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。 对称倾侧晶界：晶界两侧晶体互相倾斜，晶界的界面对于两个晶粒是对称的，其晶界视为一列平行的刃型位错组成。 非共格晶界：当两相邻晶体在界面处的晶面间距相差很大时，这种相界与大角度晶界相似，可看成是由原子不规则排列的薄过渡层构成 2、计算Fe在 850o 时，每立方米体积中的空位数。 已知Fe在850o 时的空位形成能、密度及原子重量分别为1.08 eV/atom、7.65 g/cm3、55.85 g/mol。  （1） AB:右螺型；BC：正刃型； CD：左螺型；DA：负刃型 在τ的作用下，位错环上部分晶体将不断沿着x轴方 向（即b的方向）运动，下部分晶体则反向（沿-x轴方向） 运动。这种运动必然伴随着位错环的各边向环的外侧运动， 即AB、BC、CD和DA四段位错分别沿着-z、x、z和-x轴方向运 动，从而导致位错环扩大。 （3）在σ的作用下，在滑移面上方的BC位错的半原子面和在滑移面下方的DA位错的半原子面将扩大，即BC位错沿-y轴运动，DA位错沿y轴运动。而AB和CD为螺型位错，不运动。 第四章 概念： 自扩散，互扩散，间隙扩散，空位扩散，下坡扩散，上坡扩散，稳态扩散，非稳态扩散，柯肯达尔效应，体扩散，表面扩散，晶界扩散，扩散机制，影响扩散的主要因素 自扩散：当扩散不依赖于浓度梯度，仅由热振动而引起时，则称为自扩散 互扩散：A组