第4章 光电测试常用器件.ppt

第4章 光电测试常用 器件 光电器件的类型与特点 光电器件的基本特性参数 真空光电器件 光电管 光电倍增管 半导体光电器件 光电导器件—光敏电阻 光伏器件 光电池 光电二极管/三极管 热电检测器件 热电偶和热电堆 热敏电阻 热释电探测器件;4.1 光电器件的类型与特点;光电检测器件的类型;光电检测器件;光电检测器件的特点;4.2 器件的基本特性参数;一、响应特性;电压响应率 光电探测器件输出电压与入射光功率之比 电流响应率 光电探测器件输出电流与入射光功率之比 ;２．光谱响应度：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比． ３．积分响应度：检测器对各种波长光连续辐射量的反应程度．;４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数。 上升时间：入射光照射到光电探??器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。 下降时间：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。;光电探测器响应率与入射调制频率的关系 为调制频率为f 时的响应率 为调制频率为零时的响应率 　?　为时间常数（等于RC） ;：上限截止频率 时间常数决定了光电探测器频率响应的带宽;二、噪声特性;噪声在实际的光电探测系统中是极其有害的。 由于噪声总是与有用信号混在一起，因而影响对信号特别是微弱信号的正确探测。 一个光电探测系统的极限探测能力往往受探测系统的噪声所限制。 所以在精密测量、通信、自动控制等领域，减小和消除噪声是十分重要的问题。 ;光电探测器常见的噪声;1、热噪声;2、散粒噪声;3、产生-复合噪声;4、1/f噪声;５、信噪比;６、噪声等效功率(NEP);噪声等效功率是一个可测量的量。 设入射辐射的功率为P，测得的输出电压为U0 然后除去辐射源，测得探测器的噪声电压为UN 则按比例计算，要使U0＝UN，的辐射功率为 ;７、探测率与归一化探测率;三、量子效率?（?）;量子效率与响应度的关系;四、线性度;五、工作温度;4.3 真空光电器件;（一）真空光电管 ;（二）光电倍增管;1．光窗 ??? 光窗分侧窗式和端窗式两种，它是入射光的通道。一般常用的光窗材料有钠钙玻璃、硼硅玻璃、紫外玻璃、熔凝石英和氟镁玻璃等。由于光窗对光的吸收与波长有关，波长越短吸收越多，所以倍增管光谱特性的短波阈值决定于光窗材料。;2．光电阴极 ??? 光电阴极多是由化合物半导体材料制作，它接收入射光，向外发射光电子。所以倍增管光谱特性的长波阈值决定于光电阴极材料，同时对整管灵敏度也起着决定性作用。;3．电子光学系统 ??? 电子光学系统是适当设计的电极结构，使前一级发射出来的电子尽可能没有散失地落到下一个倍增极上，也就是使下一级的收集率接近于1；并使前一级各部分发射出来的电子，落到后一级上所经历的时间尽可能相同，即渡越时间零散最小。;4．倍增系统????????????????????????? ??? 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。;显然，阳极电流可表示为：; 根据电子轨迹的形式可将倍增系统分为两大类，即聚焦型和非聚焦型。聚焦型是指电子从前一级倍增极飞向后一级倍增极时，在两电极间的电子运动轨迹，可能有交叉。非聚焦则是指在两电极间的电子运动轨迹是平行的。 ;各种倍增极的结构形式 a) 百叶窗式? b) 盒栅式? c) 直瓦片式? d) 圆瓦片式;5．阳极 ??? 阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。;二、光电倍增管的主要参量与特性 ??? 光电倍增管的主要参量与特性是区分管子质量好坏的基本依据。分为基本参数（静态参数）、应用参数（动态参数）、运行特性（例行特性）。 ??? 基本参数与管子工作原理、结构特征、材料性质、制造工艺有关。它包括灵敏度、量子效率、增益、暗电流、光谱响应等。 ??? 应用参数与管子应用方法和探测对象有关，反映某种应用的特殊要求。它包括闪烁计数中的脉冲幅度分辨率、噪声能当量、计数坪特性；光子计数中的暗噪声计数、单电子分辨率、峰谷比；快速光脉冲测量中的上升时间、半高宽、渡越时间、时间分辨率等。 ??? 运行特性与管子运行条件、运行环境有关。它表征管子承受的外部条件和使用极限，包括稳定性、温度特性、最大线性电流、抗电磁干扰特性、抗冲击振动特性等。;1.灵敏度 ??? 倍增管灵敏度有阴极灵敏度与阳极灵敏度之分。每一种灵敏度对于入射光，又都有光谱灵敏度（