单片机原理及接口技术第2章.pptVIP

2.4.2 内部数据存储器空间 128个，字节地址为00H～7FH。 00H～1FH：32个单元，是4组通用工作寄存器区 20H～2FH：16个单元，可进行128位的位寻址 30H～7FH：用户RAM区，只能字节寻址，用作数据缓冲区以及堆栈区。 2.4.3 特殊功能寄存器（SFR） CPU对片内各种功能部件的控制采用特殊功能寄存器集中控制方式，共21个。有的SFR可进行位寻址。 表2-4是SFR的名称及其分布。 其字节地址的末位是0H或8H可位寻址。 下面介绍SFR块中的某些寄存器。 表2-4 SFR的名称及其分布 1．堆栈指针SP 指示堆栈顶部在内部RAM块中的位置 复位后，SP中的内容为07H。 （1）保护断点 （2）现场保护 堆栈向上生长 2. 数据指针DPTR 高位字节寄存器用DPH表示，低位字节寄存器用DPL表示。 3. 寄存器B 为执行乘法和除法操作设置的。在不执行乘、除的情况下，可当作一个普通寄存器来使用。 2.4.4 位地址空间 211个（128个+83个）寻址位。位地址范围为：00H～FFH。 内部RAM的可寻址位128个(字节地址20H～2FH)见表2-5（P24）。 特殊功能寄存器SFR为83个可寻址位，见表2-6。 表2-5 内部RAM的可寻址位及位地址 表2-6 SFR中的位地址分布 可被位寻址的寄存器有11个，共有位地址88个，其中5个位未用，其余83个位的位地址离散地分布于片内数据存储器区字节地址为80H～FFH的范围内。 其最低的位地址等于其字节地址，并且其字节地址的末位都为0H或8H。 图2-5为各类存储器在存储器空间的位置。 图2-5 2.5 AT89C51单片机的并行I/O端口 4个双向的8位并行I/O端口(Port) ，记作P0～P3，属于特殊功能寄存器，还可位寻址。 2.5.1 P0端口 图2-6 1.位电路结构 P0口某一位的电路包括： (1) 一个数据输出锁存器，用于数据位的锁存 (2) 两个三态的数据输入缓冲器。 (3) 一个多路转接开关MUX，使P0口可作通用I/O口，或地址/数据线口。 (4) 数据输出的驱动和控制电路，由两只场效应管（FET）组成，上面的场效应管构成上拉电路。 2. 工作过程分析 （1）P0口作为地址或数据总线使用 CPU发出控制信号为高电平，打开上面的与门，使MUX打向上 边，使内部地址/数据线与下面的场效应管反相接通。此时由于上下两个FET处于反相，形成推拉式电路结构，大大提高负载能力。 （2） P0口作通用的I/O口使用 CPU发来的“控制”信号为低电平，上拉场效应管截止，MUX打向下边，与D锁存器的Q*端接通。 a. P0作输出口使用 来自CPU的“写入”脉冲加在D锁存器的CP端，内部总线上的数据写入D锁存器，并向端口引脚P0.x输出。 注意：由于输出电路是漏极开路（因为这时上拉场效应管截 止），必须外接上拉电阻才能有高电平输出（这时就不为双向口）。 b. P0作输入口使用 区分“读引脚”和“读锁存器”。 “读引脚”信号把下方缓冲器打开，引脚上的状态经缓冲器读入内部总线； “读锁存器”信号打开上面的缓冲器把锁存器Q端的状态读入内部总线。 3．P0口的特点 P0口具有如下特点：P0口为双功能口——地址/数据复用口和通用I/O口。 （1）当P0口用作地址/数据复用口时，为一个真正的双向口，用作外扩存储器，输出低8位地址和输出/输入8位数据。 （2）当P0口用作通用I/O口时，由于需要在片外接上拉电阻，端口不存在高阻抗（悬浮）状态，因此为一个准双向口。为保证引脚信号的正确读入，应首先向锁存器写1。当P0口由原来的输出状态转变为输入状态时，应首先置锁存器为1，方可执行输入操作。 一般情况下，如果P0口已作为地址/数据复用口，就不能再作为通用I/O口使用。 2.5.2 P1端口 P1口是单功能的I/O口，字节地址90H，位地址90H～97H。 P1口某一位的位电路结构如图2-7所示。 图2-7 1．位电路结构 P1口位电路结构由三部分组成： （1）一个数据输出锁存器，用于输出数据位的锁存。 （2）两个三态的数据输入缓冲器BUF1和BUF2，分别用于锁存器数据和引脚数据的输入缓冲。 （3）数据输出驱动电路，由一个场效应管（FET）和一个片内上拉电阻组成。 2．工作过程分析 P1口只能作为通用的I/O口使用。 （1）P1口作为输出口时，若CPU输出1，Q=1，Q*=0，场效应管截止，P1口引脚的输出为1；若CPU输出0，Q=0，Q*=1， 场效应管导通，P1口引脚的输出为0。 （2）P1口作为输入口时，分