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去磷硅工艺文件 目录 TOC \o 1-3 \h \u 1.目的 4 2.适用范围 4 3.职责 4 4. 去磷硅工艺 4 4.1工艺目的 4 4.2 工艺原理 4 4.3 工艺参数 4 5. 工艺过程控制 5 5.1 职责 5 5.2 控制项及指标： 5 6. 异常处理 6 6.1 原因 6 6.2 处理流程 6 7. 操作流程 6 8. 去磷硅作业规范 7 8.1插片 7 8.2配液 8 8.3上料 8 8.4过程监控 8 8.5下料 9 9．注意事项 9 1.目的 确保去磷硅工艺处于受控和稳定的状态。 2.适用范围 适用于本公司去磷硅工序的工艺控制。 3.职责 本文件由工艺部负责制定，更新和修订，由工艺主管监督并保证如实执行，工艺部具体执行。 本文件必须经过工艺部的签字认可并备案，方可交付执行。 4. 去磷硅工艺 4.1工艺目的 经过磷扩散后的硅片，表面会形成一层含磷元素的SiO2层，必须通过酸腐蚀将此层磷硅玻璃去除掉，以达到改善镀膜效果和防止电池片性能参数下降的目的。 4.2 工艺原理 该工序保证在扩散工序过程中硅片表面形成的磷硅玻璃层能理想去除，呈现出良好的表面疏水性。 其反应方程式如下： 4.3 工艺参数 4.3.1 本工艺方案适用于中联科伟达公司生产的去PSG设备； 4.3.2 本工艺方案适用于125mm单晶电池片生产； 4.3.3 时间工艺参数 HF清洗 快排清洗(QDR) 慢提拉(OF) 烘干(DRY) 烘干温度(℃) 120～150 20～40 1～20 300～360 70～110 4.3.4 工艺参考配方 步号 步名称 步时间(s) 温度(℃) 备注 1 HF清洗 140 2 QDR 20 3 OF 1 室温　 硅片表面 无粘水现象 4 DRY 300 100 5. 工艺过程控制 5.1 职责 工艺过程的监测和记录、工艺异常的及时汇报由当班质检员负责，工艺异常的及时解决由当班工艺员负责。 5.2 控制项及指标： 5.2.1 流程 5.2.1.1检查并记录每次加工的工艺recipe，保证其参数设置符合4.3.3中的规定。如不符合，必须立即通知当班工段长停止该管的生产任务，同时报告当班质检组长、工艺员。事件处理完毕，由质检员给出处理报告，当班工艺员、工段长签字后，方可重新投片生产。 5.2.1.2规范穿着净化服，戴手套和口罩，保持片盒、夹具和小花篮的清洁，禁止不带手套接触硅片，避免硅片受到污染； 5.2.2 工艺控制目标 分项 目标值 检测仪器 检测方法 备注 四槽温度 100℃ 目测 目测显示器上温度显示值在100℃附近 硅片粘水情况 无粘水 目测 目测OF槽硅片出水呈光亮状态 齿痕印 无齿痕印 目测 看四个卡齿处齿痕印是否严重 5.2.3反应及处理流程 当班质检员通过检测发现工艺控制目标未达标，应立即通知生产车间的工序长停止该设备的生产任务，同时报告当班质检组长、工艺员。 由当班工艺员判断事件的严重性，必要时负责召集当班设备工程师、质检员、操作相关人员进行问题跟踪、设备排查、工艺试验；由当班工艺员给出事件处理意见及汇总报告。 事件处理完毕，必须经当班设备工程师、工艺员、质检员、工段长四方认可并会签后，才能复产。大的工艺事故必须经设备部、工艺部、质检部、生产部的等离子刻蚀负责人会签认可后才能复产。 6. 异常处理 本工段只会产生返工片。去磷硅返工片指的是去磷硅清洗不干净（表现为慢提拉时硅片表面粘水严重）或硅片表面水纹、齿痕印非常严重的。 6.1 原因 HF酸浓度较低或酸槽、QDR槽、OF槽溶液及槽体及小花篮比较脏 6.2 处理流程 及时换酸、换水，擦洗酸槽及小花篮，必要时在OF槽加HCL清洗槽体 7. 操作流程 不合格 不合格 合格 插片 配液 质检 异常处理 流转到镀膜工序 上料 过程监控 下料 8. 去磷硅作业规范 8.1插片 插花篮：插花篮前保证硅片已冷却好，保证吸笔洁净。将等刻传来的盒盖打开，然后将片盒竖放，靠在小花篮上，用食指轻轻堵住吸笔的吸气孔。吸笔头平行于片子并轻放到片子的上部位将片子吸起插入花篮中，插花篮时从左向右插，插时先看上外侧孔，再看内上侧孔，再看内下侧孔松开食指将硅片竖直的放下。插完一篮后检查两硅片是否插在同一齿中，将花篮转180°检查是否有插错的地方，及时更改。 （注意，若双扩将片子干净的一面朝向U型口，若单扩扩散面较脏时作为 返工片处理） 8.2配液 8.2.1配液穿戴： 配液员在配液前必须戴上滤酸面具（并检查面具的气密性）、橡胶手套和防护围裙。 8.