模拟电子技术基础理论——半导体理论及应用时间.ppt

三、极限参数 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2.漏源击穿电压 U(BR)DS 4. 栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为　　热能使管子的温度升高。 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若　　UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击　　穿的情况类似，属于破坏性击穿。 1.最大漏极电流IDM 例 已知某管子的输出特性曲线如右图所示。试分析该管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）？ 电路如左图所示，其中管子T的输出特性曲线如右图所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？ 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) ＝4V (3) uGS＝ui＝10V时， 若工作在恒流区， iD＝ 2.2mA。因而u0＝ 15- 2.2*5 ＝4V 但是， uGS ＝10V时的预夹断电压为 uDS= uGS – UT=(10-4)V=6V 可见，此时管子工作在可变电阻区 解： (1) ui为0V ，即uGS＝ui＝0，管子处于夹断状态　 所以u0＝ VDD ＝15V (2) uGS＝ui＝8V时，从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD - iD RD ＝10V 从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图) 所以输出电压为 总结学习方法： 学习场效应管这部分内容时，应特别注意使用比较和归纳的方法： 注意与三极管及其放大电路进行比较（两种管子的结构、工作原理、外特性、主要参数、小信号模型等的比较；两种器件组成的放大电路的直流偏置电路及静态、动态分析方法的比较；共射与共源、共集与共漏等放大电路性能的比较）。 重点掌握: N沟道增强型MOSFET (集成电路中广泛运用). 场效应管与晶体管的比较 MOSFET分析方法(通用) 步骤： ① 分析直流电路，求出“Q”，计算 gm, rds。 ② 画电路的交流通路 。 ③ 在交流通路上把MOSFET画成gm参数模型,得到交流等效电路。 ④ 分析计算放大电路的主要技术参数。 6 晶闸管(了解) 一、结构和等效模型 　晶闸管的结构和符号 C C C 阳极 阴极 控制极 二、工作原理 图 1.5.6 1. 控制极不加电压，无论在阳极与阴极之间加正向或反向电压，晶闸管都不导通。 ——称为阻断 2. 控制极与阴极间加正向电压，阳极与阴极之间加正向电压，晶闸管导通。 P N P IG β1 β2IG β1IG 图 1.5.5 C N P N C C 结论： 　　晶闸管由阻断变为导通的条件是在阳极和阴极之间　　加正向电压时，再在控制极加一个正的触发脉冲； 　　晶闸管由导通变为阻断的条件是减小阳极电流 IA ，　　或改变A-C电压极性的方法实现。 　　晶闸管导通后，管压降很小，约为 0.6~1.2 V 左右。 三、晶闸管的伏安特性 1. 伏安特性 O UAK IA UBO A B C IH IG= 0 　　正向阻断特性：当 IG= 0 ，而阳极电压不超过一定值时，管子处于阻断状态。 UBO ——正向转折电压 　　正向导通特性：管子导通后，伏安特性与二极管的正向特性相似。 IH ——维持电流 　　当控制极电流 IG ? 0 时， 使晶闸管由阻断变为导通所需的阳极电压减小。 IG 增大 反向特性：与二极管的反向特性相似。 UBR 图 1.5.7晶闸管的伏安特性曲线 四、晶闸管的 主要参数 1.额定正向平均电流 IF 2.维持电流 IH 3.触发电压 UG和触发电流 IG 4.正向重复峰值电压 UDRM 5.反向重复峰值电压 URRM 其它：正向平均电压、控制极反向电压等。 7 半导体器件应用 1、单相半波整流电路 1、工作原理 iD u2 t uo t 设变压器输出电压：u2= U2sinωt 则输出电压： uo= 2、电路特点 优点：结构简单，元件少。 缺点：输出波形脉动大，利用率低 u1 u2 uo RL + － + － 2、单相全波整流电路 u1 u2 u2 D1 RL D2 u2 t uo t 电路分析： u0= 输入相同交流电压，经整流后，直流输出电压为半波的两倍。 优点：输出电压高 缺点：变压器需要抽头，两个二极管 3、单相桥式可控整流电路(了解) + - uG 　　在 u2 正半周，当控制极加触发脉冲，VT1 和 VD2 导通； 　　在 u2 负半周，当控制极加触发脉冲，VT