离子注入讲义.ppt

本章重点 离子注入工艺机理、注入方法； 核、电子阻止，杂质分布函数、特点； 注入损伤：原因、种类、主要影响因素； 退火：机理、方法； 离子注入和热扩散比较 * 智能剥离技术 的工 艺过程 如 图所示 。 它主要包括三个步骤：（1）离子注入 室温下 ,以一 定能量 向硅片 注入一 定剂量 的H十 ,用 以在硅表层下产 生一个气泡层 。（2）键合 将硅片 与另一硅片 进行严格清洁处 理 后 ,在室温下键合。硅片 A、B之 间至 少有一 片 的表面已用热氧化法生长 了SiO2 层 ,用 以充当未来 结构 中的绝缘层 。整个B 片将成为 结构 中的支撑片（3）两步热处 理 第一步热处理使注入、键合后 的硅片（A 片） 在注H+ 气泡层处分 开 ,上层硅膜与B片键合在一 起 ,形成 SOI结构 。A片其余的部 分可循环作支撑片使用。最 后将形成 Unibonded SOI 片进行高温处 理 ,进一步提高 SOI的质量并加强键合 强度 Schematic of Bernas Ion Source Front Plate Aperture Arc Chamber Filament Electron repeller Gas inlets 5 V Electron reflector Anode +100 V Arc chamber Vapor nozzle Oven Gas feed tube DI cooling water inlet Dopant gas inlet 离子分离器 把离子源弧光反应室里所产生的杂质离子分离出来进行离子注入。由一个离子分离电极（带高的负电压）和一个减速电极（减少离子部分动能）构成。 质量分析器 对离子源分离出来的诸多离子进行筛选（如BF3为掺杂源时有B2+ 、B+、BF2+等） 原理：不同质量与不同带电荷数的离子在经过磁场时由于电磁力的作用将进行不同曲率的圆弧运动。 Analyzing Magnet Graphite Ion source Analyzing magnet Ion beam Extraction assembly Lighter ions Heavy ions Neutrals Ion Implanter Analyzing Magnet 挡板 加速器 增加经“质量分析”后的离子束的能量，由几组经串联的加速电极构成。 Acceleration Column 100 MW 100 MW 100 MW 100 MW 100 MW 0 kV +100 kV +80 kV +20 kV +40 kV +60 kV +100 kV Ion beam Ion beam To process chamber Electrode From analyzing magnet Linear Accelerator for High-Energy Implanters Source Atomic mass analysis magnet Linear accelerator Final energy analysis magnet Scan disk Wafer 扫描装置 离子注入机产生的离子束是一条线状的粒子，须有扫描装置才能进行整个晶片的掺杂。分为电子式和机械式 电子式：离子束分别经过水平放置及垂直放置的二组平行板，改变施加在电极板上的电压大小，粒子束的运动方向被偏移。，对粒子束进行上下及左右偏移，晶片静置。 机械式：离子束方向不变，改变晶片的位置。 电子簇射器 带正电荷的注入离子对晶片表面进行注入后，晶片表面会带正电使后续的带正电荷的注入离子在注入晶片之前运动方向受到影响，产生离子束膨大现象，造成注入离子均匀度变差。太高的晶片表面电荷容易导致晶片上MOS管栅极氧化层的绝缘能力降低甚至击穿。 电子簇射器：由产生热电子的热灯丝及金属靶组成。灯丝产生的热电子轰击金属靶获得二次电子，这些二次电子扩散到晶片表面中和正电荷。 其他装置 晶片冷却系统：高能离子使晶片表面温度上升影响到晶片表面光刻胶的图形，须冷却晶片。 真空系统： General Schematic of an Ion Implanter Ion source Analyzing magnet Acceleration column Ion beam Plasma Process chamber Extraction assembly Scanning disk Ion Implanter Photograph courtesy of Varian Semiconductor, VIISion 80 Source/Terminal side 离子注入设备 中科院沈阳科仪 真空室尺寸：Φ1000×1200 漏 率： 3.75×10-7 Pa·L/