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减少干扰的方法,一个是减小变压器初级线圈的漏感,并对变压器进行磁屏蔽,另一个是尽量减少变压器初级线圈的分布电容;另一方面是尽量减少每个电流回路的有效面积,特别是要减小电源开关管电流回路的面积。 漏磁与分布电容组成的电流回路辐射最严重 14 图中,U为输入电压,Ls为变压器的漏感,Cs为变压器初级线圈的分布电容,由于Ls和Cs的时间常数相对于变压器初级线圈电感的时间常数比较小,因此流过Ls和Cs的电流速率相对比流过L1的电流速率高很多,当Q1导通和关断时,输入电压或电流的改变,都会使Ls和Cs、Cds产生谐振,使Ls和Cs、Cds两端的电压幅度比输入电压还要高。这种高频谐振不但会产生很强的电磁辐射,并且还会产生很高的尖峰脉冲电压,很容易把开关管击穿。 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 Q1导通时: —— Q1关断 振荡频率: ;衰减因子: Q1关断时: 振荡频率: ;衰减因子: —— Q1导通 初级线圈的波形 分布电容的波形 开关管的波形 15 漏感与分布电容会产生很强的冲击振荡 减小EMI产生的对策 用铜箔对变压器进行屏蔽 16 对变压器屏蔽,主要是减小变压器漏感产生的磁通对周围电路产生电磁感应干扰,以及对外产生电磁辐射干扰。 对变压器屏蔽,可用导磁良好软磁材料,直接对漏磁通进行屏蔽,也可以用导电性能良好的铜箔进行间接屏蔽;当交变漏磁通穿过铜箔的时候会在铜箔产生涡流,而涡流产生的磁场方向正好与漏磁通的方向相反,部分漏磁通就可以被抵消,因此,铜箔对磁通也可以起到很好的屏蔽作用。 减小电流回路的面积 磁场辐射干扰主要是流过高频电流回路产生的磁通窜到接收回路中产生的,因此,要尽量减小流过高频电流回路的面积和接收回路的面积。 式中:e1、 Φ1、S1、B1分别为辐射电流回路中产生的电动势、磁通、面积、磁通密度; e2、 Φ2、S2、B2分别为辐射电流回路中产生的电动势、磁通、面积、磁通密度。 17 EMC滤波电路设计 当电源插头拔出时,C1、C2存储的电荷可通过R1放电,要求1秒钟内电压低于24V。 大地 当电源输出电压(或静电)高于4000V时,变压器次级电路的分布电容存储的电荷可能会大于4.5微库仑。解决办法是在冷、热地之间跨接一个电阻R3(8.2M)和电容C5(1000~2000P)。 只有开关变压器次级线圈的中心或滤波电容的中心处才是0电位(浮地),其余地方,包括冷地,对大地均带电。 热地 冷地 浮地 18 图1 差模干扰滤波电路的计算 19 第一步: 我们先计算滤波电容器Co两端的纹波电压。图2(b)中, iL01为流过开关变压器T1的励磁电流(锯齿波),Ua为开关电源工作电压,?Uc为滤波电容器Co的纹波电压,Ton为开关电源管导通时间, Toff为开关电源管关断时间,DIo为开关管产生差模干扰信号(锯齿波),DI1为经滤波电容Co滤波后输出的差模干扰信号,DI2为经L1、C1滤波后输出的差模干扰信号,DI2为经L2、C2滤波后输出的差模干扰信号,L1、L2为差模电感,即,前面图1中L2、L1共模电感的漏感。 图2 计算过程-1 电容器C两端的纹波电压: ——(1),q 为电容器C存储电荷的变化量 电荷变化量: ——(2),I 为电容器在导通期间输出的平均电流 平均电流: ——(3),I m 为流过变压器初级线圈的最大电流值 最大电流值: 开关电源的平均工作电流: ——(5),P 为开关电源的功率。 最后求得: ——(6) 20 ——(4) Ua 为工作电压,L0 初级线圈电感, D为占空比,Ia 为开关电源的平均工作电流。 第二步: 我们再来计算图中第一级EMC滤波电容器C1两端的纹波电压,即,第一级EMC滤波器的输出电压。图(a)中,由于DI1是DI2的好几十倍,我们可以认为,DI1电压几乎全部降在L1上,因此有: 计算过程-2 21 电感L1两端的电动势: ——(7) ——(8) 由此可以求得: ——(9) 或: 及: ——(10) ——(11) 或: 根据EMC标准规定,传导干扰信号最大值为40db/uV,如果再预留6db的余量,就是50uV(约等于100uVpp),与前面计算结果正好相差250倍,即,两级EMC滤波对干扰信号最少要衰减250倍。假设L1、C1这级滤波器衰减量为16倍,根据假设条件,可求得:?Uc1≈1563uVpp。进一步可求得:L1×C1≈800×10-12(HF),如果选C1=1uF,则L1=0.8mH。 注意,上面我们一直都是用Vpp值来计算,这是因为?U是个锯齿波,在Ton期间,?U的变化量正好对应锯齿波的下降时间,其值变化范围由+Vp变到-Vp。最后计算结果除2就是它的半波峰值,而峰值与有效值两者相差大约为3db(1.414倍)。 计算
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