x射线光电子能谱分析案例.PPTVIP

8.2 光电子能谱仪实验技术 XPS采用能量为1000~1500ev 的射线源，能激发内层电子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的，因此可以用来鉴别化学元素； UPS采用 16~41ev的真空光电子作激发源。 与X射线相比能量较低，只能使原子的价电子电离，用于研究价电子和能带结构的特征。 AES大都用电子作激发源，因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。 8.2 光电子能谱仪实验技术 1．Ｘ射线激发源 2. 电子能量分析器 半球型电子能量分析器 筒镜式电子能量分析器 3. 检测器 4.真空系统 8.2 光电子能谱仪实验技术 1．Ｘ射线激发源 XPS中最常用的X射线源主要由灯丝、栅极和阳极靶构成。 X射线源的主要指标是强度和线宽，一般采用K?线，因为它是X射线发射谱中强度最大的。在X射线光电子能谱中最重要的两个X射线源是Mg和Al的特征K?射线. 8.2 光电子能谱仪实验技术 双阳极X射线源示意图 要获得高分辨谱图和减少伴峰的干扰，可以采用射线单色器来实现。即用球面弯曲的石英晶体制成，能够使来自X射线源的光线产生衍射和“聚焦”，从而去掉伴线等，并降低能量宽度，提高谱仪的分辨率。 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 电子能量分析器 （1）作用：探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。它必须在高真空条件下工作，压力要低于10-5帕，以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。 （2）类型 8.2 光电子能谱仪实验技术 半球型电子能量分析器 改变两球面间的电位差，不同能量的电子依次通过分析器，分辨率高； 8.2 光电子能谱仪实验技术 分辨率 ??---光电子能谱的半高宽即绝对分辨率 Ek---通过分析器电子的额动能 W---狭缝宽度 8.2 光电子能谱仪实验技术 筒镜式电子能量分析器 同轴圆筒，外筒接负压、内筒接地，两筒之间形成静电场； 灵敏度高、分辨率低； 8.2 光电子能谱仪实验技术 3. 检测器 用电子倍增器检测电子数目。电子倍增器是一种采用连续倍增电极表面的静电器件，内壁具有二次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍增，增益可达 109 8.2 光电子能谱仪实验技术 1、减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度。 2、降低活性残余气体的分压。因在记录谱图所必需的时间内，残留气体会吸附到样品表面上，甚至有可能和样品发生化学反应，从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。 298K吸附一层气体分子所需时间10-4Pa时为1秒；10-7Pa时为1000秒 4.真空系统 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2.3 XPS谱图的表示 1. XPS谱图的表示 横坐标：动能或结合能，单位是eV，一般以结合能 为横坐标。 纵坐标：相对强度（CPS）。 结合能为横坐标的优点： 结合能比动能更能反应电子的壳层结构（能级结构）， 结合能与激发光源的能量无关 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 谱峰、背底或伴峰 （1）谱峰：X射线光电子入射，激发出的弹性散 射的光电子形成的谱峰，谱峰明显而尖锐。 （2）背底或伴峰：如光电子(从产生处向表面)输 送过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的 能量损失峰，X射线源的强伴线产生的伴 峰，俄歇电子峰等。 8.2 光电子能谱仪实验技术 XPS谱图的背底随结合能值的变化关系 （3）背底峰的特点 在谱图中随着结合能的增加，背底电子的强度逐渐上升 。 8.2 光电子能谱仪实验技术 3. XPS峰强度的经验规律 （1）主量子数小的壳层 的峰比主量子数大 的峰强； （2）同一壳层，角量子 数大者峰强； （3）n和l都相同者，j大 者峰强。 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2.4 XPS的能量校正 1. 静电效应 在样品测试过程中，光电子不断从表面发射，造成表面电子“亏空”，对金属样品，通过传导来补偿。对绝缘体，会在表面带正电，导致光电子的动能降低，结合能升高。严重时可偏离达10几个电子伏特，一般情况下都偏高3~5个电子伏特。这种现象称为“静电效应 ”，也称为“荷电效应”。 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 校正方法 (1) 外标法（最常用） C 1s结合能：284.6 eV 若荷电效应在实验过程中不稳定