北大牛教授非常全面的微电子前沿介绍.pptVIP

提纲 背景介绍 面向逻辑电路应用的新器件技术 面向非挥发存储应用的新器件技术 面向射频集成应用的新器件技术 总结 IC Goals IC的发展趋势 Scaling趋势 技术节点的定义 Scaling趋势 scaling对不同电路应用的影响不同 不同电路应用的要求亦不同 提纲 背景介绍 面向逻辑电路应用的新器件技术 scaling存在的主要问题及解决思路 新结构逻辑器件 新机制逻辑器件 新沟道材料器件（Ge/III-V） 面向非挥发存储应用的新器件技术 面向射频集成应用的新器件技术 总结 逻辑器件的要求 MOS器件：栅控开关 理想逻辑器件 器件进入纳米尺度存在的问题 -1 静态功耗增大 功耗:纳米尺度器件漏电/SS增大 器件进入纳米尺度存在的问题 -2 器件进入纳米尺度存在的问题 -2 器件进入纳米尺度存在的问题 -2 解决思路 提纲 背景介绍 面向逻辑电路应用的新器件技术 scaling存在的主要问题及解决思路 新结构逻辑器件 新机制逻辑器件 新沟道材料器件（Ge/III-V） 面向非挥发存储应用的新器件技术 面向射频集成应用的新器件技术 总结 新型准SOI单栅器件 工艺制备 三类双栅器件 FINFET 新型BOI(body-on-insulator) FINFET 兼容工艺集成方案 围栅硅纳米线MOSFET(SNWT) 如何制备？ 传统的微细加工方法 (Top-down) 主要的挑战: 较小的直径(~10nm) 沟道形状 实现围栅 源漏寄生电阻降低 硅纳米线围栅器件（SNWT） 实际应用的关键性问题 围栅纳米线器件的涨落性 沟道不掺杂：无沟道杂质涨落(RDF) 其他涨落源：NW线粗糙度, NW直径涨落,SDE RDF,…. SRAM –— SNWT v.s. planar 基于纳米线器件的SRAM单元 噪声容限涨落小：本征沟道和SCE抑制能力强 静态功耗小 体硅SNWT中退化的热效应 纳米线中能够提供热输运载体的声子模数有限 额外的接触热阻 边界热阻大：声子-边界散射比较严重 纳米线器件的可靠性：NBTI 薄体/小尺寸器件中NBTI概率性非稳态退化 增加应力时间/提高应力温度 不是传统的累积效应 退化几率增强（陷阱占据几率的变化） 降低功耗 DTMOS器件 陡直亚阈斜率器件 TFET器件 NEM relay IMOS …. DTMOS 适于低压工作的动态阈值器件（DTMOS: dynamic threshold voltage MOS） 在低栅压下保持高阈值，高栅压下保持低阈值 较低的关态漏电和较高的驱动电流 工艺完全兼容 通过调整衬底偏压调整阈值：开态为正偏，关态为负偏或零偏 栅体相连实现动态阈值 基于动态阈值器件的超低电压低噪声放大电路(0.4V工作) 陡直亚阈斜率器件(steep-slope device) TFET (tunneling FET) adaptive operation:高开态、低关态、陡变 adaptive operation:高开态、低关态、陡变 亚阈 提纲 背景介绍 面向逻辑电路应用的新器件技术 scaling存在的主要问题及解决思路 新结构逻辑器件 新机制逻辑器件 新沟道材料器件（Ge/III-V as channel） 面向非挥发存储应用的新器件技术 面向射频集成应用的新器件技术 总结 Eg小：漏电大 ?r大 短沟效应、DIBL差 DOS小 栅/衬底界面？ 源漏？….. GeSn pMOS: GeSn: Sn~5.3% MBE 370oC，与CMOS工艺兼容 金属S/D: NiGeSn（350oC 30s） Ion:×58% GeSn pMOS: GeSn: Sn~5.3% MBE 370oC，与CMOS工艺兼容 金属S/D: NiGeSn（350oC 30s） Ion:×58% Ge nMOS GeO2/Ge界面: 高压氧化、O3氧化 highest μe: 1920cm2/Vs (111) Ge HPO +LOA 1050 cm2/Vs: (001) Ge (GeO2+Al2O3） RTO+O3等离子体处理 锗基肖特基源漏 采用杂质分凝方法实现肖特基源漏 可降低漏电两个量级以上，开关比达106 Φe~0.6eV（350oC~450oC）， Φh~0.06eV， n~1.03 机制：F为主导 F：改善NiGe材料质量 F：有效钝化界面态 影响Φ F：界面形成偶极子 影响Φ 热稳定性和表面形貌 AFP预处理：淀积金属Ni前先盐酸+氟化铵溶液预处理 (ammonium fluoride pretreatment) 抑制锗外扩散现象和凝聚现象 电学特性 III-V MO